MOSFET芯片封装节省商用无线电印刷电路板上空间降低组装成本

发布时间:2024/3/5 8:41:54 访问次数:82

随着3.6V锂离子电池在智能手机中的日益普及，商业无线电行业也期望以比传统7.2V电池更低的成本开发出更高功率的产品。

3.6V电池的使用导致商用无线电放大器的输出功率降低，因此在与智能手机相比需要更高输出的商用无线电放大器市场中，一直在等待能够提高3.6V电池输出功率的MOSFET。

高功率硅MOSFET为工作电压为3.6V的商用无线电提供无与伦比的功率输出和高漏极效率*1。此外，内置两个MOSFET芯片的封装可以节省商用无线电印刷电路板上的空间，有助于降低组装成本。

HEV或EV的电源线中常见的连接方式,是将高压电池系统连接到牵引逆变器的主接触器。

完全集成式高功率接触器驱动器可以替代复杂的节能器设计。DRV3946-Q1 驱动器可使接触器高效导通并安全关断。为了实现更高效的导通，DRV3946-Q1 驱动器具有可编程的峰值和保持电流控制功能。可以在启动期间提供更大的电流，以便建立初始连接。

建立连接后，电流可在“保持”阶段降低到较低的水平。能够对集成的峰值和保持相位进行编程，可使接触器的开关更加稳健、高效。

高温高湿测试H3TRB的测试条件是温度Ta=85℃,湿度RH=85%,VCE=80V，而HV-H3TRB在保持温度和湿度双85的条件下，将CE之间偏置电压从80V提高到了80%的额定电压，比如1200V的器件，测试HV-H3TRB时CE之间施加电压Vstress 960V。

而多模连接器连接的是50um或62.5um直径的光纤，由于其损耗和传输速率较低，多用于短距离传输，如局域网、数据中心等，通常可以使用LC、ST等类型的连接器。

H7的饱和导通电压Vcesat最低，比S5降低了3%，比H5降低达25%。开关损耗方面，H7的Eon相对于S5降低了54%，相对于H5降低了77%.

随着3.6V锂离子电池在智能手机中的日益普及，商业无线电行业也期望以比传统7.2V电池更低的成本开发出更高功率的产品。

HEV或EV的电源线中常见的连接方式,是将高压电池系统连接到牵引逆变器的主接触器。

建立连接后，电流可在“保持”阶段降低到较低的水平。能够对集成的峰值和保持相位进行编程，可使接触器的开关更加稳健、高效。

H7的饱和导通电压Vcesat最低，比S5降低了3%，比H5降低达25%。开关损耗方面，H7的Eon相对于S5降低了54%，相对于H5降低了77%.

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