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微型化MEMS压力敏感元件可实现电动汽车热管理系统集中化

发布时间:2024/1/22 22:26:32 访问次数:73

存储器未来有望取代部分DRAM与NAND快闪存储器的市场,甚至取代旧有技术。

同时兼具运算、储存能力的下世代存储器,如磁阻式存储器(MRAM)、电阻式存储器(RRAM)、3D XPoint技术与高潜力的自旋电子磁性存储器(STT-MRAM)等,就成为下世代存储器技术的新宠儿。

传感器芯片具备先进的保护机制,可防止过电压(高于+40V)和反向电压(低于-40V),十分适合大型车辆应用。MLX90830是按照ISO26262标准开发的独立安全单元(SEooC),支持ASIL B级系统集成,以确保满足最新的电动汽车安全需求。

基于Triphibian™技术且经过Melexis精确出厂校准的微型化MEMS压力敏感元件,可实现电动汽车热管理系统集中化,既缩小系统尺寸,又提高可靠性。


将MLX90830设计到独立的压力传感器中,也可将其轻松嵌入到系统中。

借助Triphibian™技术,MEMS传感器芯片能够提高可测量的压力等级,并扩展适用的介质类型。Melexis破解了此前无法通过MEMS技术解决的难题,现在我们可以通过测定液体介质的压力,为汽车行业及其他领域应用打开新的可能。


人工智能、物联网设备与更多的资料收集与传感需求,下世代的存储器技术首先将着眼于以新应用的需求为主,如台积电锁定的嵌入式存储器,并充分发挥运算与储存二合一的优势,进一步微缩大小,达到元件更高的市场渗透率。

移动设备、物联网应用的兴起,对于节能的资料储存与存储器技术需求日益增加。

目前的存储器技术以DRAM与NAND快闪存储器为主流,但DRAM的读写速度快无法长时间储存资料;NAND Flash能保存资料,但读写速度不佳。




KP3211SGA
存储器未来有望取代部分DRAM与NAND快闪存储器的市场,甚至取代旧有技术。

同时兼具运算、储存能力的下世代存储器,如磁阻式存储器(MRAM)、电阻式存储器(RRAM)、3D XPoint技术与高潜力的自旋电子磁性存储器(STT-MRAM)等,就成为下世代存储器技术的新宠儿。

传感器芯片具备先进的保护机制,可防止过电压(高于+40V)和反向电压(低于-40V),十分适合大型车辆应用。MLX90830是按照ISO26262标准开发的独立安全单元(SEooC),支持ASIL B级系统集成,以确保满足最新的电动汽车安全需求。

基于Triphibian™技术且经过Melexis精确出厂校准的微型化MEMS压力敏感元件,可实现电动汽车热管理系统集中化,既缩小系统尺寸,又提高可靠性。


将MLX90830设计到独立的压力传感器中,也可将其轻松嵌入到系统中。

借助Triphibian™技术,MEMS传感器芯片能够提高可测量的压力等级,并扩展适用的介质类型。Melexis破解了此前无法通过MEMS技术解决的难题,现在我们可以通过测定液体介质的压力,为汽车行业及其他领域应用打开新的可能。


人工智能、物联网设备与更多的资料收集与传感需求,下世代的存储器技术首先将着眼于以新应用的需求为主,如台积电锁定的嵌入式存储器,并充分发挥运算与储存二合一的优势,进一步微缩大小,达到元件更高的市场渗透率。

移动设备、物联网应用的兴起,对于节能的资料储存与存储器技术需求日益增加。

目前的存储器技术以DRAM与NAND快闪存储器为主流,但DRAM的读写速度快无法长时间储存资料;NAND Flash能保存资料,但读写速度不佳。




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