在不改变传统拓扑标准或构造情况下实现更加出色能源效率
发布时间:2024/1/11 13:15:05 访问次数:57
XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS™MOSFET的3.3KW高功率密度双向相移全桥方案。
通过将表面贴装器件(SMD)封装中的一流600V CFD7 CoolMOS™ MOSFET与150V OptiMOS™ 5同步整流器结合使用,可以在buck模式下实现98%的效率,在boost模式下实现97%的效率。
得益于半导体产品的出色性能和先进SMD封装技术以及创新的堆叠磁性结构,本方案可实现4.34 W/cm³(71.19W/in³)的功率密度,再一次证明了PSFB拓扑可以用作双向DC/DC阶段。并且在不改变传统拓扑标准或构造的情况下,实现更加出色的能源效率。
由反激原理可知,副边开通时对应原边MOS关断,而原边关断时变压器漏感、层间电容及主MOS结电容会产生高频尖峰振荡,该振荡依然会通过变压器耦合到副边,导致副边MOS管的源级电压震荡,影响同步整理的采样电压,导致MOS管提前关断。
减小变压器漏感,从根本上减小能量振荡。原边振荡的能量来源为未能传输到副边的漏感能量,减小漏感可以直观地减弱振荡幅值,从而改善副边的采样环境。
固定式电感器的电感量是固定的,该类电感器适用于滤波、振荡以及延迟等电路中。
固定式电感器是一种常用的电感器件,为了减小体积,往往根据电感量和最大直流工作时电流的大小,选用相应直径的导线在磁芯上进行绕制,然后再装入塑料外壳中,用环氧树脂进行封装而成。
XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS™MOSFET的3.3KW高功率密度双向相移全桥方案。
通过将表面贴装器件(SMD)封装中的一流600V CFD7 CoolMOS™ MOSFET与150V OptiMOS™ 5同步整流器结合使用,可以在buck模式下实现98%的效率,在boost模式下实现97%的效率。
得益于半导体产品的出色性能和先进SMD封装技术以及创新的堆叠磁性结构,本方案可实现4.34 W/cm³(71.19W/in³)的功率密度,再一次证明了PSFB拓扑可以用作双向DC/DC阶段。并且在不改变传统拓扑标准或构造的情况下,实现更加出色的能源效率。
由反激原理可知,副边开通时对应原边MOS关断,而原边关断时变压器漏感、层间电容及主MOS结电容会产生高频尖峰振荡,该振荡依然会通过变压器耦合到副边,导致副边MOS管的源级电压震荡,影响同步整理的采样电压,导致MOS管提前关断。
减小变压器漏感,从根本上减小能量振荡。原边振荡的能量来源为未能传输到副边的漏感能量,减小漏感可以直观地减弱振荡幅值,从而改善副边的采样环境。
固定式电感器的电感量是固定的,该类电感器适用于滤波、振荡以及延迟等电路中。
固定式电感器是一种常用的电感器件,为了减小体积,往往根据电感量和最大直流工作时电流的大小,选用相应直径的导线在磁芯上进行绕制,然后再装入塑料外壳中,用环氧树脂进行封装而成。