CFast卡和eSSD的系统封装盘及板载控制器和闪存芯片闪存盘
发布时间:2024/1/8 13:06:40 访问次数:88
X1的新型SATA III SSD控制器。X1的设计完全满足工业领域需求，目标产品应用包括高可靠性的SSD, M.2及U.2模组，CFast卡和eSSD的系统封装盘以及板载控制器和闪存芯片的闪存盘等。
基于先进的以闪存子页转换层为基础的hyMap技术,X1在不需外部DRAM器件的情况下实现了出众的随机写入性能，最小的写入放大系数以及高耐久性。
FlashXE (耐久力扩展)技术具备校准、软解码的错误校正和错误预防机制等功能，适用于包括SLC、pSLC、3D MLC、3D TLC和下一代NAND flash在内的各种闪存颗粒。
由于该硅二极管的正向压降约为O.716V,与正常值O.7V接近,且其反向压降为无穷大。该硅二极管的质量基本正常。
数字电桥的测量对象为阻抗元件的参数,包括交流电阻R、电感L及其品质因数o,电容C及其损耗因数D。因此,又常称数字电桥为数字式LCR测量仪。
数字电桥的测量频率一般为4Hz-8MHz。基本测量误差为0.02%,―般均在0.1%左右。
MAX12900具有10ppm/°C电压基准，相比传统方案，温漂可降低3.5倍，有效提高了系统精度。
通过集成高压LDO和电源顺序控制功能，有效简化4-20mA传感器变送器的上电控制。器件最大耗流只有250uA，相比传统方案可节省高达50%的功耗。
利用最新的MAX12900方案，将微控制器的脉宽调制数据转换为2、3或4线配置的4-20mA环路电流，有效降低方案复杂度，节省系统成本。
http://yushuo.51dzw.com深圳市裕硕科技有限公司
X1的新型SATA III SSD控制器。X1的设计完全满足工业领域需求，目标产品应用包括高可靠性的SSD, M.2及U.2模组，CFast卡和eSSD的系统封装盘以及板载控制器和闪存芯片的闪存盘等。
基于先进的以闪存子页转换层为基础的hyMap技术,X1在不需外部DRAM器件的情况下实现了出众的随机写入性能，最小的写入放大系数以及高耐久性。
FlashXE (耐久力扩展)技术具备校准、软解码的错误校正和错误预防机制等功能，适用于包括SLC、pSLC、3D MLC、3D TLC和下一代NAND flash在内的各种闪存颗粒。
由于该硅二极管的正向压降约为O.716V,与正常值O.7V接近,且其反向压降为无穷大。该硅二极管的质量基本正常。
数字电桥的测量对象为阻抗元件的参数,包括交流电阻R、电感L及其品质因数o,电容C及其损耗因数D。因此,又常称数字电桥为数字式LCR测量仪。
数字电桥的测量频率一般为4Hz-8MHz。基本测量误差为0.02%,―般均在0.1%左右。
MAX12900具有10ppm/°C电压基准，相比传统方案，温漂可降低3.5倍，有效提高了系统精度。
通过集成高压LDO和电源顺序控制功能，有效简化4-20mA传感器变送器的上电控制。器件最大耗流只有250uA，相比传统方案可节省高达50%的功耗。
利用最新的MAX12900方案，将微控制器的脉宽调制数据转换为2、3或4线配置的4-20mA环路电流，有效降低方案复杂度，节省系统成本。
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