GDDR7可达到出色的每秒1.5太字节（TBps）的带宽，是GDDR6 1.1TBps的1.4倍，并且每个数据I/O（输入/输出）口速率可达32Gbps。

固体也可以不通过熔解而°固直接汽化,质态为固态。 在物质的汽线(AD)、熔解曲线(BD)和升华曲线1D汽(CD)交于一点叫三相点。

GDDR7的设计采用了适合高速运行的节能技术，相比GDDR6能效提高了20%。针对笔记本电脑等注重功耗的设备，三星提供了一个低工作电压的选项。

产品采用脉幅调制（PAM3）信号方式，取代前几代产品的不归零（NRZ）信号方式，从而实现性能大幅提升。

为最大限度地减少显存芯片发热，除集成电路（IC）架构优化外，还在封装材料中使用具有高导热性的环氧成型化合物（EMC）材料。与GDDR6相比，这些改进不仅显著降低70%的热阻，还帮助GDDR7在高速运行的情况下，也能实现稳定的性能表现。

在一定的温度与压力下,固体将熔解为液体。在一定的压力下,固体的熔解温度叫熔点。

现阶段，E1.L规格的D5-P5336率先出货，容量高达30.72TB。随后容量扩大到61.44TB的D5-P5336，规格为U.2和E1.L。Solidigm将推出E3.S规格，容量高达30.72TB。

10BASE-T1S器件的特性包括10Mbps、半双工模式、灵活的点对点拓扑结构，具备多条总线线路并使用单对平衡导线。