电压定位(AVP)在处于负载阶跃时尽量减小了最大瞬态电压偏离
发布时间:2023/12/12 8:56:22 访问次数:100
主电源用的超级电容PC5,PowerBurst PC5类型超级电容能在主电源以及突发电源电池出现电压跌落,下陷和中断情况下提高电源的性能。该电容采用不锈钢密封的平板式设计。
与其它存储器不同,MRAM还可免除因宇宙射线所产生的软错误率(SER, soft error rate)。
这款16Mb MRAM由位宽为16的1,048,576个字组成。引脚和功能可与异步SRAM兼容。MR4A16B目标应用为工业自动化、机器人、网络和数据储存、多功能打印机、以及其它许多传统受限于需采用SRAM设计的系统。

超级电容以相同于放电的速率充电,具有静电存储能力,超过500,000次和10年寿命。
PC5型超级电容能在主电源出现故障时提供供电、保持或桥接电源直到备份电源激活以后。器件适合软关断、电池互换和保持存储数据。
超级电容适合与电池或其它电源直接联接,而电池本身不满足这些性能。该器件尺寸为14x23.6X4.8mm,高度为5.1-mm。器件具有2.5Vdc电压,4.0F的电容,以及工作温度范围为–40°~+70°C。器件容差为±20%。
此外,LTC3829还可以配置为以可调突发模式(Burst Mode)工作,从而在轻负载时产生更高的效率。可选的非线性控制模式改善负载阶跃瞬态响应,自适应电压定位(AVP)在处于负载阶跃时尽量减小了最大瞬态电压偏离。
跟踪和排序功能允许多个电源的加电和断电优化。其它特点包括电流模式控制、一个用于IC电源的内置LDO、可编程软启动、一个电源良好输出和外部VCC。
主电源用的超级电容PC5,PowerBurst PC5类型超级电容能在主电源以及突发电源电池出现电压跌落,下陷和中断情况下提高电源的性能。该电容采用不锈钢密封的平板式设计。
与其它存储器不同,MRAM还可免除因宇宙射线所产生的软错误率(SER, soft error rate)。
这款16Mb MRAM由位宽为16的1,048,576个字组成。引脚和功能可与异步SRAM兼容。MR4A16B目标应用为工业自动化、机器人、网络和数据储存、多功能打印机、以及其它许多传统受限于需采用SRAM设计的系统。

超级电容以相同于放电的速率充电,具有静电存储能力,超过500,000次和10年寿命。
PC5型超级电容能在主电源出现故障时提供供电、保持或桥接电源直到备份电源激活以后。器件适合软关断、电池互换和保持存储数据。
超级电容适合与电池或其它电源直接联接,而电池本身不满足这些性能。该器件尺寸为14x23.6X4.8mm,高度为5.1-mm。器件具有2.5Vdc电压,4.0F的电容,以及工作温度范围为–40°~+70°C。器件容差为±20%。
此外,LTC3829还可以配置为以可调突发模式(Burst Mode)工作,从而在轻负载时产生更高的效率。可选的非线性控制模式改善负载阶跃瞬态响应,自适应电压定位(AVP)在处于负载阶跃时尽量减小了最大瞬态电压偏离。
跟踪和排序功能允许多个电源的加电和断电优化。其它特点包括电流模式控制、一个用于IC电源的内置LDO、可编程软启动、一个电源良好输出和外部VCC。