台阶覆盖特性如何对蒸镀薄膜而言很重要。集成电路制造技术通常希望所淀积薄膜的保形覆盖能力强,而真空蒸镀制备的薄膜存在台阶覆特性较差问题。

在表面有深宽比为1的微结构衬底上蒸镀薄膜的台阶覆盖特性。

准备将清洗干净的衬底摆放在支架上,试旋转衬底;源装在加热器内,根据源选择加热器,如铝丝用钨丝加热器,银粉用钼舟加热器,高熔点材料采用电子束加热器等。

我们常见的登高工具有梯子、脚踏板、脚扣,以及具有保护作用的腰带。

对于衬底旋转,除了可以改善衬底的高形貌差投射出阴影区的薄膜覆盖问题之外,还可以改善所 淀积薄膜厚度的均匀性。

对源气相输运过程进行分析中曾得出,假如蒸镀源与各衬底硅片是在同一球体的球面位置上,所淀积在各硅片上薄膜厚度的均匀性就好。

在真空蒸镀系统中,衬底支架设计为半球形的夹具机构,坩埚表面也位于该球的表面位置上,衬底夹具机构可做行星式转动,且转动过程中也一直保持夹具上的衬底和坩埚内的液面在球面上。这样的夹具机构改善了薄膜厚度的均匀性,但也增加了真空室的复杂性。

溅射工艺的衬底温度通常为室温,但随着溅射淀积的进行,受二次电子的轰击,衬底的温度将有所升高。通常溅射制备的是多晶态或无定形态薄膜。

提高了溅射效率,使薄膜的淀积速率也有大幅度提高,薄膜淀积速率与直流溅射相比提高了一个数量级。 

在淀积室也有多个靶座,可进行多靶同时溅射或多靶顺序溅射。

SR3型磁控溅射台就是一种平面型磁控溅射设备。SP3型磁控溅射台是中科院微电子研究所研制的,通过该设备可以了解当前微电子I艺中采用的磁控溅射设备的性能和特点。

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