多晶硅栅极可以通过不同的掺杂实现(P型和N型),金属栅极则需要找到适合PMOS和NMOS的具有不同功函数的金属材料。 

所以对于先栅极工艺,通常采用功函数位于带隙中间的金属(如TiN),而通过在高乃介质上(或下)沉积不同的覆盖层来调节V1。对NMOS,覆盖层需要含有更加电正性的原子,而对PMOS,覆盖层需要含有更加电负性的原子(A12O3)。

在高温热处理后,覆盖层会与高花介质/界面层发生互混,在高虍介质/界面层的界面上形成偶极子,从而起到V1调节的作用。

根据工艺整合的不同,主要有先栅极和后栅极两种路线,在后栅极中又有先高虍和后高虍两种不同方法,其主要区别在于高乃介质是否经历源/漏的高温热处理(1050℃)。

固定电阻器色环标识的识读方法,电阻器的色环标注主要是以不同的颜色来表示的,不同颜色代表不同的有效数字和倍乘数,具体色环颜色代表含义。

不同位置的色环颜色所表示的含义,在识读色环电阻时,一般可从四个方面入手找到起始端并识读,即通过允许偏差色环识读、色环位置识读、色环间距识读、电阻值与允许偏差识读。

U1=Q/C1,U2=Q/C2,U3=Q/C3

将串联的三个电容器视为1个电容器C,则

Q/C=Q/C1+Q/C2+Q/C3

即1/C=1/C1+1/C2+1/C3

电感器的串联,为三个电感器串联的电路示意图及计算方法,串联电路的电流都相等,电感量与线圈的匝数成正比。

三个电感器串联的电路示意图及计算方法,电感器串联电路中,总电感量的计算方法与电阻器串联电路计算总电阻值的方法相同,即L=L1+L2+L3。

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