相较于旧有技术65nm技术能够大幅缩小芯片体积进而提高效率
发布时间:2023/9/13 8:53:46 访问次数:84
新产品STW88N65M5 MDmesh V MOSFET的通态电阻仅为0.029Ω,是标准TO-247封装650V市场上通态电阻最低的产品,打破了同样是MDmesh V器件创造的0.038Ω的原行业基准。
首批进入量产的产品将是SIM卡应用的安全芯片,在竞争激烈的安全IC市场上,采用65nm技术生产具有相当大的竞争优势,因为相较于旧有技术,65nm技术能够大幅缩小芯片体积,进而提高效率。
设计工程师可直接将新产品替代通态电阻较高的MOSFET来提高终端应用的能效,或并联更少的MOSFET晶体管,从而减少封装尺寸,降低材料(BOM)成本。
它采用将重心放在侧边的设计,不仅更稳定,使用者也更易于掌握。使用者可以用利用这部平板电脑的遥控制习功能来控制其他家电,或是将自己的数位内容经由S1传送到大萤幕电视上,以及将音乐传送到无线扬声器播放等。
65奈米(nm)嵌入式快闪(eFlash)安全芯片样本,主要用于芯片卡与安全防护应用。
此外,高清电视到4K2K向上变频器作为一个必备的工具,还能够将任何标准的1080i或1080P用于丰富的沉浸式4K2K显示器,轻松解决内容的难题。
Sony S平板电脑采用Android 3.0版作业系统,具备Wi-Fi和3G/4G连线能力,面板寸9.4英寸。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
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首批进入量产的产品将是SIM卡应用的安全芯片,在竞争激烈的安全IC市场上,采用65nm技术生产具有相当大的竞争优势,因为相较于旧有技术,65nm技术能够大幅缩小芯片体积,进而提高效率。
设计工程师可直接将新产品替代通态电阻较高的MOSFET来提高终端应用的能效,或并联更少的MOSFET晶体管,从而减少封装尺寸,降低材料(BOM)成本。
它采用将重心放在侧边的设计,不仅更稳定,使用者也更易于掌握。使用者可以用利用这部平板电脑的遥控制习功能来控制其他家电,或是将自己的数位内容经由S1传送到大萤幕电视上,以及将音乐传送到无线扬声器播放等。
65奈米(nm)嵌入式快闪(eFlash)安全芯片样本,主要用于芯片卡与安全防护应用。
此外,高清电视到4K2K向上变频器作为一个必备的工具,还能够将任何标准的1080i或1080P用于丰富的沉浸式4K2K显示器,轻松解决内容的难题。
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