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与硅平面光电晶体管探测器光学隔离的GaAs红外发射二极管

发布时间:2023/8/31 19:45:18 访问次数:96

VOS618A和VOS617A系列光耦可用于隔离的反馈环路、I/O隔离,以及开关电源、交流适配器、电机驱动、太阳能逆变器、组网开关、电信线卡和家电中的隔离。器件可保护设备使用者免遭电击,保护这些系统里的微处理器避免受到电压尖峰的损坏。

为使设计者获得更多的灵活性,半节距mini-flat VOS618A和VOS617A系列提供了从40%到600%的各种电流传输比(CTR)。这些器件也被称为光隔离器,具有一个与硅平面光电晶体管探测器光学隔离的GaAs红外发射二极管。光耦的SSOP-4封装具有3750 VRMS隔离电压等级,半引线节距为1.27mm(50mil),封装高2mm,爬电和净距离大于5mm。

新系列光耦使用环境友好的“绿色”复合材料进行模塑封装,符合RoHS指令2011/65/EU,全部通过UL、CSA、VDE、FIMKO和CQC安全标准的认证。

AVX的高性能UQ系列多层陶瓷射频电容器由无铅材料制成、符合RoHS标准、可用7个不同电压,范围为50-500V、并且可用8个不同电容公差,范围为±0.1pf到±20%。

该系列可用6个尺寸:0605、1210、0709、0402、0603和0805, 还可用3种不同的端头样式:镍阻挡层Sn/Pb(60/40), 镀100%的锡并非磁性阻挡层/锡,以及与其他非贵金属的射频电容器有竞争力的价格。

UQ系列可用温度范围为-55°C到+125°C,并且符合(或超过)EIA-198, MIL-PRF-55681与MIL-PRF-123的规范。

全新具有纯银电极的微波多层陶瓷电容器系列,将增强性能并减少成本。

AVX的全新UQ系列MLCC具有超低ESR, 高Q,高自谐振,电容范围为1pF到1000pF以及与其他非贵金属射频电容器相比具有更高的导电性。该系列适用于射频功率放大器,低噪声放大器,滤波网络和MRI系统的应用等。

650mA LM25017、300mA LM25018以及100mA LM25019 Fly-Buck™转换器采用恒定导通时间(COT)控制架构,与需要多个DC-DC转换器的传统设计相比,可将板级空间锐减达40%。

深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com

VOS618A和VOS617A系列光耦可用于隔离的反馈环路、I/O隔离,以及开关电源、交流适配器、电机驱动、太阳能逆变器、组网开关、电信线卡和家电中的隔离。器件可保护设备使用者免遭电击,保护这些系统里的微处理器避免受到电压尖峰的损坏。

为使设计者获得更多的灵活性,半节距mini-flat VOS618A和VOS617A系列提供了从40%到600%的各种电流传输比(CTR)。这些器件也被称为光隔离器,具有一个与硅平面光电晶体管探测器光学隔离的GaAs红外发射二极管。光耦的SSOP-4封装具有3750 VRMS隔离电压等级,半引线节距为1.27mm(50mil),封装高2mm,爬电和净距离大于5mm。

新系列光耦使用环境友好的“绿色”复合材料进行模塑封装,符合RoHS指令2011/65/EU,全部通过UL、CSA、VDE、FIMKO和CQC安全标准的认证。

AVX的高性能UQ系列多层陶瓷射频电容器由无铅材料制成、符合RoHS标准、可用7个不同电压,范围为50-500V、并且可用8个不同电容公差,范围为±0.1pf到±20%。

该系列可用6个尺寸:0605、1210、0709、0402、0603和0805, 还可用3种不同的端头样式:镍阻挡层Sn/Pb(60/40), 镀100%的锡并非磁性阻挡层/锡,以及与其他非贵金属的射频电容器有竞争力的价格。

UQ系列可用温度范围为-55°C到+125°C,并且符合(或超过)EIA-198, MIL-PRF-55681与MIL-PRF-123的规范。

全新具有纯银电极的微波多层陶瓷电容器系列,将增强性能并减少成本。

AVX的全新UQ系列MLCC具有超低ESR, 高Q,高自谐振,电容范围为1pF到1000pF以及与其他非贵金属射频电容器相比具有更高的导电性。该系列适用于射频功率放大器,低噪声放大器,滤波网络和MRI系统的应用等。

650mA LM25017、300mA LM25018以及100mA LM25019 Fly-Buck™转换器采用恒定导通时间(COT)控制架构,与需要多个DC-DC转换器的传统设计相比,可将板级空间锐减达40%。

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