新型射频前端解决方案，支持高通(Qualcomm)*最新发布的3G芯片组。

利用其专利制造工艺－铜凸倒装晶片(CuFlip™)和TQBiHEMT－来设计性能，尺寸，效率均优的TRITON系列产品。CuFlip工艺具有卓越的射频性能与设计灵活性，同时加快制造和装配；TQBiHEMT工艺使两个砷化镓（GaAs）进程集成到一个单芯片，减少元件数并节省电路板空间。

这些流程可以让单个芯片的模块来提供一个集成特性， 而现今市场所有其他的解决方案需要多个芯片和/或复杂的装配过程，TriQuint的解决方案有着无法比拟的优势。

高速SPI接口的90nm相变存储器，集串行NOR闪存和EEPROM两大存储器的技术优点于一身，具有字节修改功能以及更高的写入速度和耐写性能。

新存储器支持字节修改功能，执行写操作无需再擦除大数据区块，从而使数据处理和软件编程变得更容易。覆写即“无擦除”功能让工程师和设计人员能够简化软件开发任务，提升系统性能，将存储器写时间缩短到闪存的三百分之一。

新产品Omneo P5Q的耐写次数达到100万次，可写数据的量次是闪存的10倍。

小占位、四端口、可提供16.5kV ESD保护、具有宽电压和宽温范围的RS-485和RS-422接收器 --- ISL3217x和ISL3227x系列。

新IC的±16.5kV ESD保护均达到了业内最佳的ESD等级，满足HBM和IEC61000-4-2标准对接收器输入的要求。新的ISL32177和ISL32277包括一个逻辑VL供电引脚。

四端口接收器可以和Intersil的四端口发送器ISL32172/7/9和ISL32272/4成对使用，实现完整的点到点4通道解决方案。