超精细亚微米节距工艺将P沟道MOSFET实现最低导通电阻减小一半

发布时间:2023/8/23 23:03:06 访问次数:54

新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P沟道技术的首款芯片级产品。这种最先进的技术能够实现超精细、亚微米的节距工艺，将业内P沟道MOSFET所能实现的最低导通电阻减小了一半：在4.5V、2.5V、2V和1.8V电压下的导通电阻分别为32mΩ、46mΩ、65mΩ和120mΩ。

此外，CC430F61xx系列器件，进一步壮大了其LCD产品阵营，其可为开发人员提供能够满足不同设计需求的更多选项。CC430 MCU 支持多种协议以及广泛的频率范围及第三方社群，可推动家庭与楼宇自动化、智能仪表、能源采集、设备跟踪以及便携式医疗等应用的创新。

特点

嵌入式无风扇设计,可靠性高

高运算低功耗处理能力, CPU可升級

減少线缆使用, 提升运作可靠度

紧凑尺寸設計, 运用更广泛

密封机构设计, 防粉尘

支持多种接口, 随插即用

支援多種主流作业系统

支持广泛开发商社群、可提供完整可扩展软硬件的CC430F513x微处理器(MCU)，进一步推动了单芯片射频(RF)解决方案的发展。

该CC430F513xMCU将业界领先的超低功耗MSP430™MCU与1GHz以下的高性能CC1101 RF收发器进行了完美结合，并采用7毫米x7毫米小型封装，不但可实现高达20MIPS的性能，而且还可支持如集成型AES硬件模块等安全选项。

开发人员还可立即通过EM430F6137RF900与eZ430-Chronos无线开发工具实现CC430 MCU设计的跨越式起步，这些工具包含开发完整无线项目所需的所有硬件设计信息。

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