任务关键数据更新擦写或锁定成只读模式大幅提高数据安全性

发布时间:2023/8/22 21:37:40 访问次数:124

nvSRAM符合RoHS标准，可直接替代SRAM、带电池的SRAM、EPROM和EEPROM器件，无需电池即可提供可靠的非易失性数据存储功能。掉电时，数据会自动从SRAM传输到该器件的非易失性单元。供电恢复后，数据可从非易失性单元恢复到SRAM。这两个操作也可均由软件控制。

关键任务系统需要能在掉电瞬间立即可靠地保存数据的高性能存储器。

新款1Mb Quad SPI nvSRAM具有在掉电时保护数据安全的能力，其数据吞吐量可媲美并行器件，并且尺寸更小，功耗更低。

一款具有四个串行外设接口的1Mb非易失性静态随机存取存储器。

这一新款nvSRAM的四个SPI接口使得该器件可以在尺寸更小的情况下，超越尺寸更大的并行接口器件的数据吞吐量。该款nvSRAM可为RAID存储设备、工业自动化、计算和网络应用在掉电时，无需电池即可保存大吞吐量的数据。

四SPI接口CY14V101QS 1Mb nvSRAM的最高时钟频率为108MHz，其性能超过了并行接口（x8 IO 宽度, 45-ns 访问时间）器件。

2Mbit EEPROM芯片另外提供256字节的可锁定保护页面（lockable page），可安全存放模块跟踪数据、识别码或任务关键数据。可锁定保护页有一个专用的访存命令，以避免与存储阵列的标准单元相互影响。任务关键数据可以更新、擦写，或锁定成只读模式，大幅提高了数据安全性。

意法半导体的M95M02-A125 EEPROMs通过了AEC-Q100 1级可靠性标准测试，拥有2.5V工作电压，工作温度高达 125°C。新产品将汽车级EEPROM容量从2K提高到2Mbit，采用单一SO8N尺寸封装，有助于提高设计的总体灵活性。

深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com

关键任务系统需要能在掉电瞬间立即可靠地保存数据的高性能存储器。

新款1Mb Quad SPI nvSRAM具有在掉电时保护数据安全的能力，其数据吞吐量可媲美并行器件，并且尺寸更小，功耗更低。

一款具有四个串行外设接口的1Mb非易失性静态随机存取存储器。

四SPI接口CY14V101QS 1Mb nvSRAM的最高时钟频率为108MHz，其性能超过了并行接口（x8 IO 宽度, 45-ns 访问时间）器件。

深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com

相关技术资料: 5-14高精度智能磁性传感器芯片KTM5900; 5-14新一代全光纤工业光总线技术应用前景; 5-14通感控一体全光网芯片TS-PON Gen2; 5-14Sub-GHz/Wi-SUN 收发器技术参数设计; 5-14低功耗 8 位和 16 位微控制器（MCU）; 5-14双 LVDS （OpenLDI） LCD 视频处理器; 5-13业界新型“Dauerpower”逆变器SiC MOS; 5-13电源管理芯片 (PMIC)应用详解; 5-13 Power Management Buck/降压转换器̴; 5-13AI GPU 和 TPU的超高功率密度电源模块; 5-13高性能CMOS图像传感器芯片参数设计; 5-13四丛集架构10核心方案SS1101处理器

相关IC型号: OP90GS-REEL; MBM29LV160TE90NC-LE1; CXA1910Q; MAX819LCUA; DTA113ZE; MC74VHCT374ADWR2; IDT74ALVC162334PA; GC80503CSM; SP682CN; LT1304CS8-3.3