3.3V到1V降压转换器的效率并驱动高达3A的负载
发布时间:2023/8/18 0:58:07 访问次数:208
85522211和85522201可提供的最大输出功率为2200VA。
nRF52832带有类别首个64MHz ARM®Cortex®-M4F处理器、512kB闪存和64kB RAM、同级最佳超高性能、超低功耗多协议蓝牙智能、ANT™、具有-96dB RX灵敏度的专有2.4GHz无线电、5.5mA 峰值RX/TX电流，以及一个片上RF平衡/不平衡转换器(RF Balun)。独特的全自动功率管理系统还可让设计人员轻易实现最佳功耗。nRF52832采用先进的55nm工艺，包括6x6mm QFN和微型3.0x3.2mm CSP封装选项。
EEMBC 215 CoreMark®的评分，显示nRF52832相比基于ARM Cortex-M0/M3竞争蓝牙智能SoC解决方案提供高出多达60%通用处理能力,并且借助ARM Cortex-M4F获得额外10倍的浮点和2倍的DSP性能。
此外，该SoC的能效达到90 CoreMark/mA，是一些竞争解决方案的2倍。
nRF52832还包括全系列片上模拟和数字外设，如传感器、显示、触摸控制器、LED、键盘、马达、数字麦克风，以及音频编解码器，用于无缝连接外部组件，而 这使其成为用于可穿戴产品、人机接口设备，比如遥控器、玩具、智能家居设备和电器，以及无线充电应用的理想单芯片解决方案。
降压转换器可利用独立的脉冲宽度调制控制器及外部MOSFET来提升设计灵活性，同时从开关元件提供分布式热耗散。
DMC1028UFDB MOSFET組合优化了性能,尽量提高3.3V到1V降压转换器的效率,并驱动高达3A的负载。
这些优化性能包括针对在三分之二的开关周期都处于导通状态的低侧N通道MOSFET，Vgs=3.3V下的19mΩ低导通电阻，还有为P通道MOSFET而设，Vgs=3.3V下的5nc低栅极电荷，从而把开关损耗减到最低。
互补式双MOSFET組合DMC1028UFDB，旨在提升直流-直流转换器的功率密度。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
85522211和85522201可提供的最大输出功率为2200VA。
nRF52832带有类别首个64MHz ARM®Cortex®-M4F处理器、512kB闪存和64kB RAM、同级最佳超高性能、超低功耗多协议蓝牙智能、ANT™、具有-96dB RX灵敏度的专有2.4GHz无线电、5.5mA 峰值RX/TX电流，以及一个片上RF平衡/不平衡转换器(RF Balun)。独特的全自动功率管理系统还可让设计人员轻易实现最佳功耗。nRF52832采用先进的55nm工艺，包括6x6mm QFN和微型3.0x3.2mm CSP封装选项。
EEMBC 215 CoreMark®的评分，显示nRF52832相比基于ARM Cortex-M0/M3竞争蓝牙智能SoC解决方案提供高出多达60%通用处理能力,并且借助ARM Cortex-M4F获得额外10倍的浮点和2倍的DSP性能。
此外，该SoC的能效达到90 CoreMark/mA，是一些竞争解决方案的2倍。
nRF52832还包括全系列片上模拟和数字外设，如传感器、显示、触摸控制器、LED、键盘、马达、数字麦克风，以及音频编解码器，用于无缝连接外部组件，而 这使其成为用于可穿戴产品、人机接口设备，比如遥控器、玩具、智能家居设备和电器，以及无线充电应用的理想单芯片解决方案。
降压转换器可利用独立的脉冲宽度调制控制器及外部MOSFET来提升设计灵活性，同时从开关元件提供分布式热耗散。
DMC1028UFDB MOSFET組合优化了性能,尽量提高3.3V到1V降压转换器的效率,并驱动高达3A的负载。
这些优化性能包括针对在三分之二的开关周期都处于导通状态的低侧N通道MOSFET，Vgs=3.3V下的19mΩ低导通电阻，还有为P通道MOSFET而设，Vgs=3.3V下的5nc低栅极电荷，从而把开关损耗减到最低。
互补式双MOSFET組合DMC1028UFDB，旨在提升直流-直流转换器的功率密度。
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