经过优化布线有助于大幅减少杂散电感以降低峰值鸣震

发布时间:2023/8/13 21:54:23 访问次数:123

LED数码管的半强角为±50°，2.6V的最高正向电压可实现低功耗，每个数码管适宜的峰值电流达60mA。所有器件都按照发光强度进行了分组，黄色、绿色和浅橙色数码管还按颜色进行了分类。

对于任何具有数字式读数的设备，设计者可以用VDMx10x0和VDMx10A1替换控制单元和面板仪表中的引线式7段数码管。典型最终产品包括测试和测量设备、POS机、电信系统、办公设备、消费电子产品和医疗设备。

这些器件符合RoHS指令，可采用红外回流焊工艺，根据JEDEC Level 3的要求进行了预处理。

新款25V IRFH4251D和IRFH4253D采用IR的新一代硅技术和崭新的5x6mm PQFN封装，提供功率密度的新标准。

由于具有更强的散热性能和功率密度，任何一个采用5x6mm封装的新组件都可以替换采用5x6 mm封装的两个标准独立组件。

全新封装还采用已在PowIRStage和SupIRBuck中广泛使用的IR专利技术单铜夹，以及经过优化的布线，有助于大幅减少杂散电感以降低峰值鸣震，这样设计师就可以用25V MOSFET代替效率较低的30V组件。

一款全新的步进电机驱动芯片，驱动电流可达4安培，丰富了其现有的微步控制的步进电机驱动产品线。新的TMC2660集成预驱动器和功率MOSFET管，预驱动部分可以实时计算电机线圈电流，功率MOSFET将电流放大驱动电机。

新款25V IRFH4251D和IRFH4253D采用IR的新一代硅技术和崭新的5x6mm PQFN封装，提供功率密度的新标准。由于具有更强的散热性能和功率密度，任何一个采用5x6mm封装的新组件都可以替换采用5x6mm封装的两个标准独立组件。

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这些器件符合RoHS指令，可采用红外回流焊工艺，根据JEDEC Level 3的要求进行了预处理。

新款25V IRFH4251D和IRFH4253D采用IR的新一代硅技术和崭新的5x6mm PQFN封装，提供功率密度的新标准。

由于具有更强的散热性能和功率密度，任何一个采用5x6mm封装的新组件都可以替换采用5x6 mm封装的两个标准独立组件。

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