可扩展碳化硅(SiC)驱动器参考设计解决方案，其基础为碳化硅MOSFET产品和ADuM4135 5KV隔离栅极驱动器。

新的参考设计为客户提供高度隔离的碳化硅MOSFET双栅极驱动开关，以便通过多个拓扑来评估碳化硅MOSFET。这包括为支持同步死区时间保护的半桥开关和无保护异步信号传输而优化的模式。

双碳化硅MOSFET驱动器参考设计加快产品开发工作，它也可以配合我们的下一代碳化硅MOSFET的推出，以确保最终用户的顺利过渡。

然而，数据记录仪缺乏测量并记录快速变化波形的能力，而示波器也只能测量电压信号，无法长时间执行持续的数据记录。通过各种插入模块，长时间测量高速变化的电压、温度、应变、加速度、频率和车载串行总线信号（CAN、LIN和SENT）。

同时使用大容量内存和SD卡，可保存长达50天的数据记录。这种模块化设计让DL350能够根据测量应用的不同轻松地处理各种不同的信号。

目前的研究焦点是将波束形成技术结合起来，使用软件控制灵活调整天线的方向来解决。

采用更高频谱的出发点是更有效地利用频段从而在实现更高带宽与更低延迟的同时降低使用成本。

通过配置，它也可以提供并行驱动以满足研究非钳位感应开关(UIS) 或双脉冲测试的要求。碳化硅MOSFET分立器件和模块而开发，是用于评估其SiC器件产品组合的工程工具。

但是正因为要使用更高频段，所以目前使用的硬件都需要更新换代，在初步实践上却是往增加成本方向发展。