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硅管穿透电流很小阻值在几百十欧姆以上表针不动或者微动

发布时间:2023/7/9 23:52:56 访问次数:53


玻璃釉电容器,是一种常用电容器件,介质是玻璃釉粉加压制成的薄片,通过调整釉粉的比例,可以得到不同特性的电容。微调电容器电容量可在某一小范围内将其容量进行调整,并可在调整后固定于某个值上。常见的微调电容器。

聚苯乙烯电容器是以非极性的聚苯乙烯薄膜为介质制成的电容器。其电性能优良,绝缘电阻高,可以在高频下使用,并可部分地代替云母电容器。为聚苯乙烯电容器。


三极管在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结,组成一个PNP(或NPN)结构。


把两个P区(或N区)并联在一起,引出一个电极,称为栅极(G),在N型(或P型)半导体棒的两端各引出一个电极,分别称为源极(S)和漏极(D)。夹在两个PN结中间的N区(或P区)是电流的通道,称为沟道。这种结构的管子称为N沟道(或P沟道)结型场效应管。

识别PNP型三极管的材料,识别PNP型三极管为锗管还是硅管的方法。

用指针万用表欧姆挡的R×1k挡测量,将红表笔接基极b,黑表笔接发射极c,然后观察测量的电阻值。如果测量的电阻值小于1kΩ,则三极管为锗管;如果测量的电阻值为5~10kΩ,则三极管为硅管。

识别PNP型三极管为锗管还是硅管的方法,三极管检测与代换方法。

测量NPN型小功率硅管时,用指针万用表R×-1k挡测量,将负表笔接集电极,正表笔接发射极,由于硅管的穿透电流很小,阻值应在几百十欧姆以上,一般表针不动或者微动.

识别NPN型三极管的材料,识别NPN型三极管为锗管还是硅管的方法。

用指针万用表欧姆挡的R×1k挡测量,将红表笔接基极c,黑表笔接发射极b,然后观察测量的电阻值。如果测量的电阻值小于1kΩ,则三极管为锗管;如果测量的电阻值为5~10kΩ,则三极管为硅管。



玻璃釉电容器,是一种常用电容器件,介质是玻璃釉粉加压制成的薄片,通过调整釉粉的比例,可以得到不同特性的电容。微调电容器电容量可在某一小范围内将其容量进行调整,并可在调整后固定于某个值上。常见的微调电容器。

聚苯乙烯电容器是以非极性的聚苯乙烯薄膜为介质制成的电容器。其电性能优良,绝缘电阻高,可以在高频下使用,并可部分地代替云母电容器。为聚苯乙烯电容器。


三极管在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结,组成一个PNP(或NPN)结构。


把两个P区(或N区)并联在一起,引出一个电极,称为栅极(G),在N型(或P型)半导体棒的两端各引出一个电极,分别称为源极(S)和漏极(D)。夹在两个PN结中间的N区(或P区)是电流的通道,称为沟道。这种结构的管子称为N沟道(或P沟道)结型场效应管。

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测量NPN型小功率硅管时,用指针万用表R×-1k挡测量,将负表笔接集电极,正表笔接发射极,由于硅管的穿透电流很小,阻值应在几百十欧姆以上,一般表针不动或者微动.

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用指针万用表欧姆挡的R×1k挡测量,将红表笔接基极c,黑表笔接发射极b,然后观察测量的电阻值。如果测量的电阻值小于1kΩ,则三极管为锗管;如果测量的电阻值为5~10kΩ,则三极管为硅管。


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