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在rb一定情况下rc与ycc之间关系称晶体管输出特性

发布时间:2023/4/4 23:31:46 访问次数:114

晶体三极管的主要参数,直流参数共发射极直流放大倍数卩=b/rb。

集电极一基极反向截止电流‰)rb=o时,基极和集电极间加规定反向电压时的集电极电流。

集电极一发射极反向截止电流rc相(穿透电流) rb=o时,集电极―发射极间加规定的反向电压时的集电极电流。

晶体三极管的输人、输出特性,输入特性,在晶体管的输入回路中,基极电流Fb与基极和发射极之问的电压ubc的关系称为输人特性。在晶体管的输入特性中也存在个“死区”。在“死区”内rb极小,硅管死区电压约0.5V,锗管约0.2Ⅴ。

输出特性在rb一定的情况下,rc与ycc之间的关系称晶体管的输出特性。同一只晶体管,在不同的Jh下,  晶体三极管可以得到不同的曲线,使得晶体三极管的输出特性是一个曲上四线族。

在中间部分的J(大小主要取决于Jb,这个区域称为放大区。在这个区间内,f(随Fb成正比例增长,rb每增大一定值,特性曲线就向上移一次,fc的变化比rb的变化大得多,即

Δrc=`Δrb

在Fb=0时,Jc≠0,此时的rc叫穿透电流。在Jb=0以下的区域称为截止区,在此区域内,晶体三极管无放大作用;曲线族左侧的阴影区称为饱和区,在此区域内,晶体管处于饱和导通状态(无放大作用)。

交流参数,共发射极交流放大倍数 卩=Δ几/ΔFb。其中ΔFb是fb的变化量,Δfc是rc的变化量。

共基极交流放大倍数 α=Δfc/Δ厶≈1。

极限参数,集电极最大允许电流Fcm。

集电极―发射极击穿电压cm基极开路时,加在集电极一发射极之间的最大允许电压。

集电极最大容许耗散功率Pcm 集电极电流Jc会使管子温度上升,二极管因受热而引起的参数变化不超过允许值的功耗就是Pcm。二极管的实际耗散功率Pc=L厂ce rc,使用时必须使Pc<Pcm。





晶体三极管的主要参数,直流参数共发射极直流放大倍数卩=b/rb。

集电极一基极反向截止电流‰)rb=o时,基极和集电极间加规定反向电压时的集电极电流。

集电极一发射极反向截止电流rc相(穿透电流) rb=o时,集电极―发射极间加规定的反向电压时的集电极电流。

晶体三极管的输人、输出特性,输入特性,在晶体管的输入回路中,基极电流Fb与基极和发射极之问的电压ubc的关系称为输人特性。在晶体管的输入特性中也存在个“死区”。在“死区”内rb极小,硅管死区电压约0.5V,锗管约0.2Ⅴ。

输出特性在rb一定的情况下,rc与ycc之间的关系称晶体管的输出特性。同一只晶体管,在不同的Jh下,  晶体三极管可以得到不同的曲线,使得晶体三极管的输出特性是一个曲上四线族。

在中间部分的J(大小主要取决于Jb,这个区域称为放大区。在这个区间内,f(随Fb成正比例增长,rb每增大一定值,特性曲线就向上移一次,fc的变化比rb的变化大得多,即

Δrc=`Δrb

在Fb=0时,Jc≠0,此时的rc叫穿透电流。在Jb=0以下的区域称为截止区,在此区域内,晶体三极管无放大作用;曲线族左侧的阴影区称为饱和区,在此区域内,晶体管处于饱和导通状态(无放大作用)。

交流参数,共发射极交流放大倍数 卩=Δ几/ΔFb。其中ΔFb是fb的变化量,Δfc是rc的变化量。

共基极交流放大倍数 α=Δfc/Δ厶≈1。

极限参数,集电极最大允许电流Fcm。

集电极―发射极击穿电压cm基极开路时,加在集电极一发射极之间的最大允许电压。

集电极最大容许耗散功率Pcm 集电极电流Jc会使管子温度上升,二极管因受热而引起的参数变化不超过允许值的功耗就是Pcm。二极管的实际耗散功率Pc=L厂ce rc,使用时必须使Pc<Pcm。





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