厂商纷纷应用纳米制程,NAND闪存价格再跌
发布时间:2007/9/5 0:00:00 访问次数:327
PConline
据海外媒体报道,由于目前NAND型闪存价格竞争激烈,内存厂商为降低成本,将以纳米制程全面迎战;市场龙头大厂三星即宣布已成功开发出63纳米的8Gb NAND Flash生产技术。而因每片晶圆产出量将因制程微缩而增多二成至三成以上,将再进一步压低芯片价格,三星预估NAND Flash芯片价格2005年至少要再跌四成。
据了解,三星2005年将透过调降价格、拉高芯片容量等方式,扩大在NAND Flash市场占有率,并藉此将NAND Flash市场做大。而为降低成本因应价格竞争,所以三星本季起开始导入70纳米技术生产4Gb及8Gb芯片,并宣布成功研发出63纳米的8Gb NAND生产技术,至于东芝、美光、Hynix、英飞凌、瑞萨(Renesas)等供货商,本季起也全面性以90纳米投产NAND Flash。
而随着投入厂商众多与制程微缩带来的产能提升,在市场需求成长速度不如供给量成长速度的压力下,将再进一步压低NAND Flash价格。目前主流2GbNAND Flash芯片现货价约16美元,市场预估至2005年中应会跌至13美元左右,至于4Gb NAND芯片价位现在约32美元,至年中应会跌至26美元。至于三星现阶段则预估,NAND均价今年至少要再跌四成。
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据海外媒体报道,由于目前NAND型闪存价格竞争激烈,内存厂商为降低成本,将以纳米制程全面迎战;市场龙头大厂三星即宣布已成功开发出63纳米的8Gb NAND Flash生产技术。而因每片晶圆产出量将因制程微缩而增多二成至三成以上,将再进一步压低芯片价格,三星预估NAND Flash芯片价格2005年至少要再跌四成。
据了解,三星2005年将透过调降价格、拉高芯片容量等方式,扩大在NAND Flash市场占有率,并藉此将NAND Flash市场做大。而为降低成本因应价格竞争,所以三星本季起开始导入70纳米技术生产4Gb及8Gb芯片,并宣布成功研发出63纳米的8Gb NAND生产技术,至于东芝、美光、Hynix、英飞凌、瑞萨(Renesas)等供货商,本季起也全面性以90纳米投产NAND Flash。
而随着投入厂商众多与制程微缩带来的产能提升,在市场需求成长速度不如供给量成长速度的压力下,将再进一步压低NAND Flash价格。目前主流2GbNAND Flash芯片现货价约16美元,市场预估至2005年中应会跌至13美元左右,至于4Gb NAND芯片价位现在约32美元,至年中应会跌至26美元。至于三星现阶段则预估,NAND均价今年至少要再跌四成。