漏源击穿电压,在场效应管中,当栅源电压一定,增加漏源电压时的过程中,使漏电流ID开始急剧增加时的漏源电压,称为漏源击穿电压U(BR)Dss,栅源击穿电压,在结型场效应管中,反向饱和电流急剧增加叫的栅源电压,称为栅源击穿电压(UBR)Gss.

跨导在漏源电压UDs一定时,漏电流rr)的微小变化量与引起这一变化量的栅源电压的比值称为跨导.

即gm=ΔID/ΔGs.它是衡量场效应管栅源电压对漏极电流控制能力的一个重要参数,也是衡量放大作用的一个重要参数,它反映了场效应管的放大能力,gm的单位是uA/V最大漏源电流,是一项极限参数t.

它是指场效应管正常工作时漏源问所允许通过的最大电流.

将黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一支表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。当出现

两次测得的电阻值近似或相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极G,其余两电极分别为漏极D和源极s.

将两表笔分别接在漏极D和源极s的引脚上,测量其电阻值c之后,再调换表笔测量其电阻值。

在两次测量中,电阻值较小的一次(一般为几千欧至十几千欧)测量中,黑表笔接的是源极S,红表笔接的是漏极D.

测量前同样须将3只引脚短接放电,以避免测量中发生误差。

将黑表笔接基极(B)引脚9红表笔接集电极(c)引脚.

观察表盘,发现集电结的反向电阻的阻值为“无穷大”。

将红、黑表笔置换位置.

测得集电结的正向电阻的阻值为“⒎9k”。

场效应晶体管(Fleld Effect Translstor,FET)简称场效应管,是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。

场效应管是电压控制电流器件,其放大能力较差,而三极管是电流控制电流器件,其放大能力较强。

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