三星新型双栅晶体管，驱动性能提高(图)
发布时间:2007/9/5 0:00:00 访问次数:345
韩国三星电子日前开发成功了PMOS导通电流高达2.31mA/μm的新型双栅晶体管“MBC（multi-bridge-channel）FET”。开关特性也不错，为75mV/dec。该公司2004年6月就n型MBCFET进行了技术发表，此次则试制成功了p型产品。n型MBCFET采用了多晶硅栅极，而此次为了控制阈值，采用了TiN材料的金属栅，在Bulk底板和SOI底板上对n和p 两种特性进行测试。在2004年12月13日于美国旧金山召开的“2004年国际电子器件大会（2004 IEEE International Electron Devices Meeting，2004 IEDM）”上做了发表（演讲序号为27.1）。
MBC是一种在结构上通过在硅底板内部嵌入多个栅电极，将夹在栅电极之间的区域用作沟道的晶体管。每个沟道的平均厚度为20nm。即使将栅极长度缩短至30nm左右，也能利用晶体管结构控制短沟道效应，而不需在沟道部分搀杂（HALO/pocket）。
除此之外，在此次专题会议上三星还发表了试制双沟道Fin型FET 的结果。主要面向80nm工艺SRAM。驱动性能达到了过去平坦型FET的5 倍，s系数实现了接近理论极限的60mV/dec。源极/漏极部分的寄生电阻可保持在与平坦型晶体管相同的水平。
（转自 日经BP社）
韩国三星电子日前开发成功了PMOS导通电流高达2.31mA/μm的新型双栅晶体管“MBC（multi-bridge-channel）FET”。开关特性也不错，为75mV/dec。该公司2004年6月就n型MBCFET进行了技术发表，此次则试制成功了p型产品。n型MBCFET采用了多晶硅栅极，而此次为了控制阈值，采用了TiN材料的金属栅，在Bulk底板和SOI底板上对n和p 两种特性进行测试。在2004年12月13日于美国旧金山召开的“2004年国际电子器件大会（2004 IEEE International Electron Devices Meeting，2004 IEDM）”上做了发表（演讲序号为27.1）。
MBC是一种在结构上通过在硅底板内部嵌入多个栅电极，将夹在栅电极之间的区域用作沟道的晶体管。每个沟道的平均厚度为20nm。即使将栅极长度缩短至30nm左右，也能利用晶体管结构控制短沟道效应，而不需在沟道部分搀杂（HALO/pocket）。
除此之外，在此次专题会议上三星还发表了试制双沟道Fin型FET 的结果。主要面向80nm工艺SRAM。驱动性能达到了过去平坦型FET的5 倍，s系数实现了接近理论极限的60mV/dec。源极/漏极部分的寄生电阻可保持在与平坦型晶体管相同的水平。
（转自 日经BP社）
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