三星新型双栅晶体管,驱动性能提高(图)
发布时间:2007/9/5 0:00:00 访问次数:344
韩国三星电子日前开发成功了PMOS导通电流高达2.31mA/μm的新型双栅晶体管“MBC(multi-bridge-channel)FET”。开关特性也不错,为75mV/dec。该公司2004年6月就n型MBCFET进行了技术发表,此次则试制成功了p型产品。n型MBCFET采用了多晶硅栅极,而此次为了控制阈值,采用了TiN材料的金属栅,在Bulk底板和SOI底板上对n和p 两种特性进行测试。在2004年12月13日于美国旧金山召开的“2004年国际电子器件大会(2004 IEEE International Electron Devices Meeting,2004 IEDM)”上做了发表(演讲序号为27.1)。
MBC是一种在结构上通过在硅底板内部嵌入多个栅电极,将夹在栅电极之间的区域用作沟道的晶体管。每个沟道的平均厚度为20nm。即使将栅极长度缩短至30nm左右,也能利用晶体管结构控制短沟道效应,而不需在沟道部分搀杂(HALO/pocket)。
除此之外,在此次专题会议上三星还发表了试制双沟道Fin型FET 的结果。主要面向80nm工艺SRAM。驱动性能达到了过去平坦型FET的5 倍,s系数实现了接近理论极限的60mV/dec。源极/漏极部分的寄生电阻可保持在与平坦型晶体管相同的水平。
(转自 日经BP社)
韩国三星电子日前开发成功了PMOS导通电流高达2.31mA/μm的新型双栅晶体管“MBC(multi-bridge-channel)FET”。开关特性也不错,为75mV/dec。该公司2004年6月就n型MBCFET进行了技术发表,此次则试制成功了p型产品。n型MBCFET采用了多晶硅栅极,而此次为了控制阈值,采用了TiN材料的金属栅,在Bulk底板和SOI底板上对n和p 两种特性进行测试。在2004年12月13日于美国旧金山召开的“2004年国际电子器件大会(2004 IEEE International Electron Devices Meeting,2004 IEDM)”上做了发表(演讲序号为27.1)。
MBC是一种在结构上通过在硅底板内部嵌入多个栅电极,将夹在栅电极之间的区域用作沟道的晶体管。每个沟道的平均厚度为20nm。即使将栅极长度缩短至30nm左右,也能利用晶体管结构控制短沟道效应,而不需在沟道部分搀杂(HALO/pocket)。
除此之外,在此次专题会议上三星还发表了试制双沟道Fin型FET 的结果。主要面向80nm工艺SRAM。驱动性能达到了过去平坦型FET的5 倍,s系数实现了接近理论极限的60mV/dec。源极/漏极部分的寄生电阻可保持在与平坦型晶体管相同的水平。
(转自 日经BP社)