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电芯在竖直和水平方向上排布有利于优化电池能量储存与整车布局

发布时间:2023/2/8 19:50:48 访问次数:54

数据链路层则在应用层基础上加上一头一尾。头上是一个字节的状态字,表示该信息是最近刷新的,还是重复以前的数据。尾上加两个字节,用于CRC校验。

到物理层,则在数据链路层基础上再加上头尾。头上加两个字节,一个是前同步字符,由10101010组成,第二个是帧开始分界符,由1、高电平、低电平、1、零、高电平、低电平、零组成。尾部加一个帧结束字节,由1、高电平、低电平、高电平、低电平、1、零、1、组成。

三层协议一共在有用信息两端增加了8个字节。当速率为1M时,帧与帧之间的间隔可设定在10~70μS之间。如果每个数据都是8字节,有用通量在200K~300 Kbit/s之间。如果数据长度为128字节,有用通量可达800K bit/s。

Ultium电池与驱动系统亮点

Ultium电池的电芯在竖直方向和水平方向上均可排布,有利于优化电池能量储存与整车布局;

Ultium电池的容量从50千瓦时至200千瓦时不等,可支持高达640公里的续航里程,百公里加速仅3秒;

搭载Ultium电池的电动车支持家用充电和直流快充,大部分车型将配备400伏电池包以及200千瓦的快充能力,电动皮卡将配备800伏电池包以及350千瓦的快充能力;

在驱动系统方面,通用汽车自主研发的电机将提供前驱、后驱、四驱、性能四驱等丰富选择。

现在,通过增加电能共享支持功能,最新的ST-ONEMP简化了在USB-PD输出外再增加一个输出的双充电口设计,提高终端用户的充电灵活性和便利性。

在ST-ONEMP内部,Cortex-M0+MCU微控制器位于充电器次级侧,片上64KB闪存用于保存定制USB-PD协议和电源转换固件。

ST-ONEMP与MasterGaN功率技术配套使用。MasterGaN技术包含集成栅极驱动器的氮化镓(GaN)宽带隙功率晶体管。GaN技术的开关频率比传统硅MOSFET更高,使适配器能够提供更高的功率密度和符合最新生态设计规范的高能效。

http://yushuo.51dzw.com/ 深圳市裕硕科技有限公司

数据链路层则在应用层基础上加上一头一尾。头上是一个字节的状态字,表示该信息是最近刷新的,还是重复以前的数据。尾上加两个字节,用于CRC校验。

到物理层,则在数据链路层基础上再加上头尾。头上加两个字节,一个是前同步字符,由10101010组成,第二个是帧开始分界符,由1、高电平、低电平、1、零、高电平、低电平、零组成。尾部加一个帧结束字节,由1、高电平、低电平、高电平、低电平、1、零、1、组成。

三层协议一共在有用信息两端增加了8个字节。当速率为1M时,帧与帧之间的间隔可设定在10~70μS之间。如果每个数据都是8字节,有用通量在200K~300 Kbit/s之间。如果数据长度为128字节,有用通量可达800K bit/s。

Ultium电池与驱动系统亮点

Ultium电池的电芯在竖直方向和水平方向上均可排布,有利于优化电池能量储存与整车布局;

Ultium电池的容量从50千瓦时至200千瓦时不等,可支持高达640公里的续航里程,百公里加速仅3秒;

搭载Ultium电池的电动车支持家用充电和直流快充,大部分车型将配备400伏电池包以及200千瓦的快充能力,电动皮卡将配备800伏电池包以及350千瓦的快充能力;

在驱动系统方面,通用汽车自主研发的电机将提供前驱、后驱、四驱、性能四驱等丰富选择。

现在,通过增加电能共享支持功能,最新的ST-ONEMP简化了在USB-PD输出外再增加一个输出的双充电口设计,提高终端用户的充电灵活性和便利性。

在ST-ONEMP内部,Cortex-M0+MCU微控制器位于充电器次级侧,片上64KB闪存用于保存定制USB-PD协议和电源转换固件。

ST-ONEMP与MasterGaN功率技术配套使用。MasterGaN技术包含集成栅极驱动器的氮化镓(GaN)宽带隙功率晶体管。GaN技术的开关频率比传统硅MOSFET更高,使适配器能够提供更高的功率密度和符合最新生态设计规范的高能效。

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