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更精确限流控制用低压端MOSFET源极回路加接一个电阻实现

发布时间:2022/12/26 8:46:26 访问次数:78

应用处理器MX1经过优化以后,能够支持Micron 技术公司的同步闪存(SynFlash)存储器技术。

MX1的用途是用来生产低成本的移动产品,比如,智能电话、高级信息设备、网络浏览器和图形输入板、数字媒体播放器、手提电脑和移动数据/话音设备。

同步闪存存储器技术的特点是:数据读出带宽宽、启动时间较少、以及功率消耗较小。因此,把摩托罗拉和这两项技术相结合,就能够获得更好的系统性能。

MX1的产品都采用了速度高于200MHz的ARM920T内核的微处理器。MX1还提供了一个片上预备用于蓝牙的应用处理器,并且提供了智能化集成外设,增加手提设备电池的寿命。

电动势用公式表示,即E=W/Q

式中,E为电动势,单位为伏特(V);k为将正电荷经电源内部从负极引导正极所做的功,单位为焦耳(J);g为移动的正电荷数量,单位为库伦(C)。

由电源、开关、可变电阻器构成的电路模型。在闭合电路中,电动势是维持电流流动的电学量,电动势的方向规定为经电源内部,从电源的负极指向电源的正极。电动势等于路端电压与内电压之和,用公式表示即

£=u+yu=r・R+f・r

式中,k行表示路端电压(即电源加在外电路端的电压),j表示内电压(即电池因内阻自行消耗的电压),J表示闭合电路的电流,R表示外电路总电阻(简称外阻),r表示电源的内阻。

电路以A点作为参考点,A点的电位为0V(即仇=0V),则B点的电位为0.5V(即‰=0,5V),C点的电位为1V(即仇=1V),D点的电位为1,5V(即%=⒈5V)。

电位的原理(以A点为参考点),电路若以B点作为参考点,B点的电位为0V(即‰二0V),则A点的电位为一0.5V(即队=-0,5V),C点的电位为0.5V(即仇=0.5V),D点的电位为1V(即%=1V)。为以B点为参考点电路中的电位。


SC1480控制器采用低压端MOSFET的 RDS(on)作电流传感,以改善效率和降低成本。更精确的限流控制能用低压端MOSFET源极回路加接一个电阻来实现。1A栅极驱动使设计者可选择MOSFET来优化成本或效率,或者两者都优化。

上海德懿电子科技有限公司  www.deyie.com

应用处理器MX1经过优化以后,能够支持Micron 技术公司的同步闪存(SynFlash)存储器技术。

MX1的用途是用来生产低成本的移动产品,比如,智能电话、高级信息设备、网络浏览器和图形输入板、数字媒体播放器、手提电脑和移动数据/话音设备。

同步闪存存储器技术的特点是:数据读出带宽宽、启动时间较少、以及功率消耗较小。因此,把摩托罗拉和这两项技术相结合,就能够获得更好的系统性能。

MX1的产品都采用了速度高于200MHz的ARM920T内核的微处理器。MX1还提供了一个片上预备用于蓝牙的应用处理器,并且提供了智能化集成外设,增加手提设备电池的寿命。

电动势用公式表示,即E=W/Q

式中,E为电动势,单位为伏特(V);k为将正电荷经电源内部从负极引导正极所做的功,单位为焦耳(J);g为移动的正电荷数量,单位为库伦(C)。

由电源、开关、可变电阻器构成的电路模型。在闭合电路中,电动势是维持电流流动的电学量,电动势的方向规定为经电源内部,从电源的负极指向电源的正极。电动势等于路端电压与内电压之和,用公式表示即

£=u+yu=r・R+f・r

式中,k行表示路端电压(即电源加在外电路端的电压),j表示内电压(即电池因内阻自行消耗的电压),J表示闭合电路的电流,R表示外电路总电阻(简称外阻),r表示电源的内阻。

电路以A点作为参考点,A点的电位为0V(即仇=0V),则B点的电位为0.5V(即‰=0,5V),C点的电位为1V(即仇=1V),D点的电位为1,5V(即%=⒈5V)。

电位的原理(以A点为参考点),电路若以B点作为参考点,B点的电位为0V(即‰二0V),则A点的电位为一0.5V(即队=-0,5V),C点的电位为0.5V(即仇=0.5V),D点的电位为1V(即%=1V)。为以B点为参考点电路中的电位。


SC1480控制器采用低压端MOSFET的 RDS(on)作电流传感,以改善效率和降低成本。更精确的限流控制能用低压端MOSFET源极回路加接一个电阻来实现。1A栅极驱动使设计者可选择MOSFET来优化成本或效率,或者两者都优化。

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