新产品系列降低了各种采用SMD封装和THD封装的器件的导通电阻（RDS(on)）值，最高可降低55%，例如DPAK封装中器件的导通电阻值为450 mΩ或TO247封装中器件的导通电阻值为60mΩ。设计人员可通过减小封装尺寸、大幅提高功率密度并节省电路板空间，降低BOM成本和生产成本。

其柵极-源极阈值电压（V(GS),th）为3V，V(GS),th最低变化范围为±0.5V，可方便新器件的设计导入和驱动，提高了设计自由度；利用低阈值电压和容差可避免使用MOSFET线性模式，降低了驱动电压和闲置损耗。LM1117IDT-3.3/NOPB

与CoolMOS C3相比，新产品系列的栅极电荷改善了60%，大大降低了驱动损耗，而且能够达到人体放电模型（HBM）（2级静电放电敏感度）标准，保证了静电放电（ESD）的稳健性，进而减少了与ESD有关的设备故障，提高了产量。

以无PCB SIP封装提供的多方向感测磁性位置传感器，能够为设计人员提供可配置的信号路径和灵活的线性化，以便进行线端校准并优化感测精度。

IC可以补偿非线性场和静态传感器与磁体的未对准误差，高可配置性能够使设计人员轻松优化精度和校准时间。这有助于尽量减少电子控制单元(ECU)中的处理，并最大限度地提高非理想磁体和机械装配公差下的线端成品率。

采用合并技术(binning)多级输出能够将多个磁性开关IC功能集成到单一芯片A31316 。

A31316传感器遵循独立安全单元(SEooC)等功能安全指南，支持符合ISO 26262的ASIL B系统级集成，并且符合AEC-Q100 Grade 0汽车标准。

A31316集成了一个曼彻斯特接口(Manchester interface)，用于通过输出引脚对EEPROM进行编程，从而无需另外单独的编程接口。它能够可靠地存储工厂和客户编程的校准设置，并带有供客户使用的专用寄存器。

EEPROM编程不需要高压电源，A31316可以直接使用5V电源电压进行编程，从而能够与微控制器或其他低电压器件集成。

IC包括业界快速SENT协议，滴答时间(tick time)为0.5-10μs，并包括一个脉宽调制(PWM)接口，载波频率为125Hz-16kHz，用于与微控制器的简单数字接口。

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