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IGBT反并联续流二极管FWD在硬开关续流时反向恢复特性

发布时间:2022/11/15 12:41:14 访问次数:60

IGBT的关断过程中CE在承受反向偏置电压时能够安全工作的区域,它规定了IGBT关断时的动态轨迹(I-V曲线)允许划过的范围。RBSOA由最大集电极电流、最大集射极电压、最大允许电压上升率dvCE⁄dt决定。

50A 1200V IGBT模块FP50R12N2T7的RBSOA曲线,可以看出,RBSOA曲线划定了两条电压-电流关系的边界线,水平方向的折线是集电极电流IC,定义了IGBT模块的可重复集电极电流ICRM,垂直方向的折线是集射极CE击穿电压VBRCES。

多个IGBT晶圆构成IGBT模块之后,模块内部也会产生杂散电感,当IGBT快速关断时,芯片与端子之间的杂散电感上的感应电压需要扣除,所以,模块的RBSOA曲线会削掉一个角。

重定时器和信号中继器是设计高速USB4接口常用的器件。它们需要电路板走线变更短,从而降低寄生电感,但也会意外地降低整体系统级ESD稳健性。

此外,它将大部分线路电感置于ESD保护和被保护器件之间,以优化系统的ESD性能。

Nexperia通过提供尽可能降低ESD保护对总预算影响的器件,帮助设计工程师在预算有限的情况下,满足高速USB4数据线的插入损耗和回波损耗要求。这两款器件在优化系统级ESD稳健性和RF性能之间实现了出色的平衡。

IGBT作为一种功率开关,从门级信号到器件开关过程需要一定反应时间,就像生活中开关门太快容易挤压手一样,过短的开通脉冲可能会引起过高的电压尖峰或者高频震荡问题。

这种现象随着IGBT被高频PWM调制信号驱动时,时常会无奈发生,占空比越小越容易输出窄脉冲,且IGBT反并联续流二极管FWD在硬开关续流时反向恢复特性也会变快。

以1700V/1000A IGBT4 E4来看,规格书中在结温Tvj.op=150℃时,开关时间tdon=0.6us,tr=0.12us和tdoff=1.3us, tf=0.59us,窄脉冲宽度不能小于规格书开关时间之和。


IGBT的关断过程中CE在承受反向偏置电压时能够安全工作的区域,它规定了IGBT关断时的动态轨迹(I-V曲线)允许划过的范围。RBSOA由最大集电极电流、最大集射极电压、最大允许电压上升率dvCE⁄dt决定。

50A 1200V IGBT模块FP50R12N2T7的RBSOA曲线,可以看出,RBSOA曲线划定了两条电压-电流关系的边界线,水平方向的折线是集电极电流IC,定义了IGBT模块的可重复集电极电流ICRM,垂直方向的折线是集射极CE击穿电压VBRCES。

多个IGBT晶圆构成IGBT模块之后,模块内部也会产生杂散电感,当IGBT快速关断时,芯片与端子之间的杂散电感上的感应电压需要扣除,所以,模块的RBSOA曲线会削掉一个角。

重定时器和信号中继器是设计高速USB4接口常用的器件。它们需要电路板走线变更短,从而降低寄生电感,但也会意外地降低整体系统级ESD稳健性。

此外,它将大部分线路电感置于ESD保护和被保护器件之间,以优化系统的ESD性能。

Nexperia通过提供尽可能降低ESD保护对总预算影响的器件,帮助设计工程师在预算有限的情况下,满足高速USB4数据线的插入损耗和回波损耗要求。这两款器件在优化系统级ESD稳健性和RF性能之间实现了出色的平衡。

IGBT作为一种功率开关,从门级信号到器件开关过程需要一定反应时间,就像生活中开关门太快容易挤压手一样,过短的开通脉冲可能会引起过高的电压尖峰或者高频震荡问题。

这种现象随着IGBT被高频PWM调制信号驱动时,时常会无奈发生,占空比越小越容易输出窄脉冲,且IGBT反并联续流二极管FWD在硬开关续流时反向恢复特性也会变快。

以1700V/1000A IGBT4 E4来看,规格书中在结温Tvj.op=150℃时,开关时间tdon=0.6us,tr=0.12us和tdoff=1.3us, tf=0.59us,窄脉冲宽度不能小于规格书开关时间之和。


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