NSM301x系列霍尔效应角度传感器提供14位线性DAC模拟量输出/12位分辨率PWM输出，14位SPI角度输出。可在全温度范围内提供精度±1°的角度输出，同时该系列支持四段分段拟合，四段校准后精度高达到±0.2°。

NSM301x系列霍尔效应角度传感器有四个集成的平面霍尔元件，只对Z轴方向的磁场变化敏感，对X和Y轴的杂散磁场变化免疫。

通过差分放大两对对立的霍尔元件，四个霍尔元件产生一个正弦信号和一个余弦信号，用于后续CORDIC运算。因为差分输入的存在，Z轴方向上均匀磁场干扰同样被抵消掉。因此，该系列传感器芯片可抵御来自X/Y/Z方向上的杂散磁场干扰。

这样的散热性能提升带来了极大的裨益，可以将输出功率提高多达15%。

另外，它还能提高开关频率，进一步减少诸如电动汽车（EV）充电、储能或光伏系统等应用中所需的无源器件，从而提高功率密度并降低系统成本。

.XT互连技术可降低SiC MOSFET结温，而不改变系统运行条件，因此大大延长了系统的使用寿命，提高了功率循环能力。这也是伺服驱动器等设备的关键要求。

1200V CoolSiCTM MOSFET M1H芯片将进一步释放SiC技术的应用潜力，在全球范围内推动清洁能源的开发利用，并提高能源效率。

新型固态继电器可以在几微秒内通过单个隔离栅断开和连接负载（而机电继电器则需要数毫秒），从而实现高压汽车系统的更安全运行。

TPSI3050-Q1提供高达5kVRMS的增强型隔离，其工作寿命也比机电继电器高10倍，机电继电器的性能也会随着时间的推移而退化。此外，TPSI2140-Q1提供高达3.75kVRMS的基础型隔离，使其能够实现比固态光继电器高四倍以上的时间相关电介质击穿可靠性。

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