底部填充技术使DRAM芯片和基板之间有更强的结构支撑
发布时间:2022/10/29 22:15:49 访问次数:156
两款针对不同讯号频率状况的精密功率放大器(op-amps)，解决现代汽车设计中进阶讯号调节的需求。DIODES™AS2376Q低讯噪比特性表示其在高频使用上已进行优化，例如车载充电器 (OBC)、DC-DC 转换器、电池管理系统 (BMS) 实作、泵、安全气囊、位置传感器及占用侦测系统。
SQR-SD4E采用原装车规级DRAM IC,该原装IC支持-40~125℃的工作温度，解决了过热问题。此产品创新的设计和独特的规格,确保在高温关键应用中的非凡耐用性，如军事、车载、采矿和重工业等。
随着SiHK045N60EF的推出,及其他第四代600V EF系列器件的发布，满足电源系统架构前两级提高能效和功率密度的要求——包括图腾柱无桥功率因数校正(PFC)以及其后的DC/DC转换器模块。
WR-COM USB2.0 Type-C SMT卧式插座
WR-COM USB2.0 Type-C 的设计使用寿命极长。该SMT元件带有额外的焊盘，实现在 PCB 上稳固的机械固定。双侧触点都是镀金，极为耐用，至少能承受10000次插拔。支持-40°C至+85°C的工业工作温度范围。
底部填充技术，使DRAM芯片和基板之间有更强的结构支撑，有效降低了边缘应力。同时，它能更好地防止潮湿和其他环境危害，以提高内存模块的稳定性和耐久性。
TO-220 FullPAK 2L全隔离封装的新型FRED Pt®第五代600V Hyperfast恢复整流器---12A VS-E5TW1206FP-N3和VS-E5TX1206FP-N3以及15A VS-E5TW1506FP-N3和VS-E5TX1506FP-N3。该系列的整流器反向恢复性能达到业界先进水平，提高中频逆变器和软硬开关或谐振电路的效率。
反向恢复电荷(Qrr)低于前代解决方案60%，同时恢复损耗降低90%。此外，与最接近的竞品相比，整流器反向恢复能量(Erec)提高10%，软恢复有助于降低EMI，在整个工作温度范围内更稳定地运行，从而提高热性能。
来源：.eepw.如涉版权请联系删除。图片供参考
两款针对不同讯号频率状况的精密功率放大器(op-amps)，解决现代汽车设计中进阶讯号调节的需求。DIODES™AS2376Q低讯噪比特性表示其在高频使用上已进行优化，例如车载充电器 (OBC)、DC-DC 转换器、电池管理系统 (BMS) 实作、泵、安全气囊、位置传感器及占用侦测系统。
SQR-SD4E采用原装车规级DRAM IC,该原装IC支持-40~125℃的工作温度，解决了过热问题。此产品创新的设计和独特的规格,确保在高温关键应用中的非凡耐用性，如军事、车载、采矿和重工业等。
随着SiHK045N60EF的推出,及其他第四代600V EF系列器件的发布，满足电源系统架构前两级提高能效和功率密度的要求——包括图腾柱无桥功率因数校正(PFC)以及其后的DC/DC转换器模块。
WR-COM USB2.0 Type-C SMT卧式插座
WR-COM USB2.0 Type-C 的设计使用寿命极长。该SMT元件带有额外的焊盘，实现在 PCB 上稳固的机械固定。双侧触点都是镀金，极为耐用，至少能承受10000次插拔。支持-40°C至+85°C的工业工作温度范围。
底部填充技术，使DRAM芯片和基板之间有更强的结构支撑，有效降低了边缘应力。同时，它能更好地防止潮湿和其他环境危害，以提高内存模块的稳定性和耐久性。
TO-220 FullPAK 2L全隔离封装的新型FRED Pt®第五代600V Hyperfast恢复整流器---12A VS-E5TW1206FP-N3和VS-E5TX1206FP-N3以及15A VS-E5TW1506FP-N3和VS-E5TX1506FP-N3。该系列的整流器反向恢复性能达到业界先进水平，提高中频逆变器和软硬开关或谐振电路的效率。
反向恢复电荷(Qrr)低于前代解决方案60%，同时恢复损耗降低90%。此外，与最接近的竞品相比，整流器反向恢复能量(Erec)提高10%，软恢复有助于降低EMI，在整个工作温度范围内更稳定地运行，从而提高热性能。
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