TP65H300G4LSG是一款240毫欧、通过JEDEC认证的PQFN88表面贴装器件，具有±18V栅极安全裕度。FET是建立在QRF、有源钳位反激模式（ACF）或LLC谐振拓扑结构上的150W或以下低功率应用的理想选择。

Transphorm的TP65H300G4LSG具有与硅类似的阈值水平和高栅极击穿电压（最大±18 V）。

BR100系列采用7nm制程，集成770亿晶体管，基于壁仞科技自主原创的芯片架构开发，采用Chiplet(芯粒)、2.5D CoWoS等先进的设计、制造与封装技术，可搭配64GB HBM2E显存，超300MB片上缓存，支持PCIe 5.0、CXL互联协议等。

性能方面，1024 TOPS INT8、512 TFLOPS BF16、256 TFLOPS TF32+、128 TFLOPS FP32，可实现2.3TB/s外部I/O带宽，支持64路编码、512路解码等，号称在FP32(单精度浮点)、INT8(整数，常用于人工智能推理)等维度.

接口方面，T830支持3个PCI-Express、USB 3.2、速率高达10GbE的两个USXGMII接口，并通过PCM/SPI接口支持RJ11电话线。

晶栈(Xtacking)3.0技术的第四代TLC三维闪存X3-9070。

相比上一代产品，X3-9070可实现2400MT/s的I/O传输速率，符合ONFI5.0规范，实现了50%的性能提升。X3-9070也是存储历史上密度最高的是闪存颗粒，能够在更小的单芯片中实现1Tb容量(128GB)。

最后X3-9070采用创新6-plane设计，相比传统4-plane，性能提升50%以上，同时功耗降低25%，能效比显著提升，可降低用户的总拥有成本。