用于实施AC或DC电流采样。霍尔传感器阵列为差分式，可以抵消任何杂散磁场。

具有低电阻的原边导体允许电流在包含高精度霍尔效应传感器的IC附近流动。该电流产生磁场，由集成的霍尔效应传感器在两个不同的点感应。然后，这两个点之间的磁场差被转换成与施加的电流成比例的电压。旋转电流技术适用于低稳定偏移应用。

主导电路径的引脚和传感器引线之间实现电流隔离，因此MCS1801可以取代光隔离器或其他隔离装置。MCS1801最大限度地减少了现有标准外部元器件的使用。

该器件的小尺寸封装可以节省板空间，使其非常适合空间有限的应用。MCS1801采用SOIC-8封装。

混合式保护组件直接将GDT功能整合到MOV上，大幅提高了浪涌保护性能、使用寿命和设备可靠性。

将两种装置整合至单一封装中，使得GDT能够阻断可能导致过早失效的漏电流通过MOV，从而使MOV本身更加稳健，而无需在电路设计中添加额外的组件。

IsoMOV™保护器使设计人员能够根据自身空间要求更好地定制浪涌保护性能，同时支持他们升级MOV过压保护，从而无需重新设计PCB即可获得GDT隔离的可靠性能。

具备引脚对引脚可直接替换的外形尺寸，并采用行业标准的引脚布局，能够提供比同尺寸的标准MOV明显优异的性能和可靠性。

其中，集成的微控制器将MEMS麦克风的输出转换为ppm读数，并通过串行I2C、UART或PWM接口提供这些读数。该传感器的测量范围从0ppm至10000ppm，精度为±30ppm或读数的±3%。

RHRDAC121在高达100krad(Si) 总电离剂量(TID)的恶劣条件下保持性能参数稳定，在高达 125MeV.cm2/mg条件下，没有单粒子闩锁(SEL)效应，并测试分析了单粒子瞬态(SET)和单粒子翻转 (SEU)效应，因策，这款产品可以直接部署到实际应用中，无需按照高一级标准进一步筛选器件。