双通路器件控制MOSFET开关更加可重复和精确的方法
发布时间:2022/10/8 19:57:41 访问次数:55
嵌入式处理器V-Dragon,它是基于Linux操作系统,能产生中文字符32000个(能扩展到50000个)简体字和繁体字.此外,还能支持ASCII字符.
V-Dragon处理器目标应用是嵌入式产品如手持设备和图形输入板PC.该公司宣称,该处理器将会比台式PC有更大的市场潜力.
该芯片采用SOC结构,具有带专用DMA模块的10/100Mbps以太网接口(EMAC),64位读和写数据总线地址管线,有四个USB端口的全速USB主控制器,支持1GB的SDRAM,和OHCI V1.1标准兼容以及具有用于触摸屏和声音检测的外挂ADC-SAR.
把功率MOSFET和肖特基阻塞二极管集成在单一裸芯片上,创新一种称作MOSBD新器件。
第一个MOSBD,型号为TPC8A01,是双通路器件,组合了两个MPOSFET和一个肖特基阻塞二极管。因此,把在DC/DC转换器中同步整流所用的三种器件集成在一个封装内,容易在PCB上安装,节省了更大的板的空间。
器件很适合用在笔记本电脑,PDA,LCD和硬盘驱动器(HDD)的马达驱动器中的DC/DC转换器。
新的MOSBD,由于消除了MOSFET和二极管间的外部连线,大大地降低了连线的电阻和电感。新器件也由于采用东芝的UMOS III工艺,能进一步改善性能。TPC8A01 MOSBD的占位面积为30mm2,厚度为1.6mm,封装为工业标准的SOP-8。

FDC6901L先进的加电控制功能是基于采用小型IC来驱动集成P-MOSFET开关的独特的设计,有可编的恒流源。这种设计提供了控制MOSFET开关更加可重复和精确的方法,允许系统设计者避免重置或由电源电压变化所引起的系统故障。
可调整的导通能降低浪涌电流,因此也降低了电源上的功率损耗和瞬变电压.FDC6901L有强有力的上拉缓冲器,能很快地关断内部的MOSFET,因为上升时间小于7us,并能增加到124us或162us.
来源:eccn.如涉版权请联系删除。图片供参考
嵌入式处理器V-Dragon,它是基于Linux操作系统,能产生中文字符32000个(能扩展到50000个)简体字和繁体字.此外,还能支持ASCII字符.
V-Dragon处理器目标应用是嵌入式产品如手持设备和图形输入板PC.该公司宣称,该处理器将会比台式PC有更大的市场潜力.
该芯片采用SOC结构,具有带专用DMA模块的10/100Mbps以太网接口(EMAC),64位读和写数据总线地址管线,有四个USB端口的全速USB主控制器,支持1GB的SDRAM,和OHCI V1.1标准兼容以及具有用于触摸屏和声音检测的外挂ADC-SAR.
把功率MOSFET和肖特基阻塞二极管集成在单一裸芯片上,创新一种称作MOSBD新器件。
第一个MOSBD,型号为TPC8A01,是双通路器件,组合了两个MPOSFET和一个肖特基阻塞二极管。因此,把在DC/DC转换器中同步整流所用的三种器件集成在一个封装内,容易在PCB上安装,节省了更大的板的空间。
器件很适合用在笔记本电脑,PDA,LCD和硬盘驱动器(HDD)的马达驱动器中的DC/DC转换器。
新的MOSBD,由于消除了MOSFET和二极管间的外部连线,大大地降低了连线的电阻和电感。新器件也由于采用东芝的UMOS III工艺,能进一步改善性能。TPC8A01 MOSBD的占位面积为30mm2,厚度为1.6mm,封装为工业标准的SOP-8。

FDC6901L先进的加电控制功能是基于采用小型IC来驱动集成P-MOSFET开关的独特的设计,有可编的恒流源。这种设计提供了控制MOSFET开关更加可重复和精确的方法,允许系统设计者避免重置或由电源电压变化所引起的系统故障。
可调整的导通能降低浪涌电流,因此也降低了电源上的功率损耗和瞬变电压.FDC6901L有强有力的上拉缓冲器,能很快地关断内部的MOSFET,因为上升时间小于7us,并能增加到124us或162us.
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