SRAM I/O接口的单元DRAM核的技术支持嵌入式手提应用
发布时间:2022/10/7 22:50:14 访问次数:211
新型超低功耗假静态RAM(PSRAM)IS32WV16100 和IS32WV16200，其工作电压从2.3V到3.6V，结构为1Mx16和 2Mx16，很适合用在下一代手机以及无线手持设备和手提应用。
16Mb和32Mb器件的速度有70ns和100ns，非常低的待机电流(50uA)和工作电流(10mA)。
其它特性还包括能提供测试好的裸芯片和工业温度等级的芯片。PSRAM系列和Fujitsu, Toshiba和NEC的产品兼容。
16Mb和32Mb PSRAM采用基于有简单SRAM I/O接口的单元DRAM核的技术来制造，得到更高的密度，每位更低的功耗和更小的尺寸。
它具有一流的数据吞吐量和传输范围。SE2526A RF前端集成了高性能放大器，功率检测器，发送/接收开关，多样性开关和滤波器以及全匹配的50欧姆。
它还支持嵌入式手提应用，工作电压为单电源3.0-3.6V，802.11g模式仅消耗电流160mA。
SE2526A的功率输出高达16dBm，802.11g模式的误差矢量幅度(EVM)小于3%。在802.11b模式，SE2526A提供输出功率20dBm，相邻通道功率比(ACPR)小于-35dBc。一流的EVM，ACPR和谐波失真性能保证工作在54Mbps 802.11g模式下有高的数据吞吐量和更长的距离。
此外，作为光耦合级，当LED和接收器件间的电流转移比(CTR)衰减时会引起系统故障。
IR2136器件有三个高边MOSFET和三个低边IGBT高压栅驱动器组成，有各种保护功能，和CMOS或LSTTL输出兼容，3.3V逻辑电平直接和微处理器或其它逻辑器件接口，提供120mA/250mA输出电流源/吸收源。
IR2136逆变器/驱动器IC能使机器人的设计有高达50V/ns dV/dt的免疫性和低的di/dt驱动电流。
来源：eccn.如涉版权请联系删除。图片供参考
新型超低功耗假静态RAM(PSRAM)IS32WV16100 和IS32WV16200，其工作电压从2.3V到3.6V，结构为1Mx16和 2Mx16，很适合用在下一代手机以及无线手持设备和手提应用。
16Mb和32Mb器件的速度有70ns和100ns，非常低的待机电流(50uA)和工作电流(10mA)。
其它特性还包括能提供测试好的裸芯片和工业温度等级的芯片。PSRAM系列和Fujitsu, Toshiba和NEC的产品兼容。
16Mb和32Mb PSRAM采用基于有简单SRAM I/O接口的单元DRAM核的技术来制造，得到更高的密度，每位更低的功耗和更小的尺寸。
它具有一流的数据吞吐量和传输范围。SE2526A RF前端集成了高性能放大器，功率检测器，发送/接收开关，多样性开关和滤波器以及全匹配的50欧姆。
它还支持嵌入式手提应用，工作电压为单电源3.0-3.6V，802.11g模式仅消耗电流160mA。
SE2526A的功率输出高达16dBm，802.11g模式的误差矢量幅度(EVM)小于3%。在802.11b模式，SE2526A提供输出功率20dBm，相邻通道功率比(ACPR)小于-35dBc。一流的EVM，ACPR和谐波失真性能保证工作在54Mbps 802.11g模式下有高的数据吞吐量和更长的距离。
此外，作为光耦合级，当LED和接收器件间的电流转移比(CTR)衰减时会引起系统故障。
IR2136器件有三个高边MOSFET和三个低边IGBT高压栅驱动器组成，有各种保护功能，和CMOS或LSTTL输出兼容，3.3V逻辑电平直接和微处理器或其它逻辑器件接口，提供120mA/250mA输出电流源/吸收源。
IR2136逆变器/驱动器IC能使机器人的设计有高达50V/ns dV/dt的免疫性和低的di/dt驱动电流。
来源：eccn.如涉版权请联系删除。图片供参考
相关技术资料- 5-13业界新型“Dauerpower”逆变器SiC MOS
- 5-13电源管理芯片 (PMIC)应用详解
- 5-13 Power Management Buck/降压转换器̴
- 5-13AI GPU 和 TPU的超高功率密度电源模块
- 5-13高性能CMOS图像传感器芯片参数设计
- 5-13四丛集架构10核心方案SS1101处理器
- 5-12全界面量子芯片调控分析应用软件 Visage
- 5-1212nm FFC 工艺 HIFI5 DSP 系列芯片
- 5-12最新全场景座舱芯片X9SP
- 5-12安全芯片、电动汽车用功率驱动芯片应用标准
- 5-12MIPI A-PHY功率及通信芯片技术介绍
- 5-12新一代Harmony OS 5 操作系统技术应用探究
公网安备44030402000607
