RF晶体管低噪音放大器和用于移动无线基站单片微波集成电路
发布时间:2022/10/7 22:29:59 访问次数:138
SiGe双极工艺很适合各种高速模拟和数字方面的应用,如Gbps数据通信和宽带无线应用或微波产品。动态频率分频器的分频比例为2,最大输入频率为110GHz。该电路的工作电压为5V,消耗电流62mA。而静态分频器(分频比例为32)的最大输入频率为86GHz,工作电压为5V,消耗电流仅为180mA。
建造高频收发器的关键元件是压控振荡器(VCO)。开发和制造了工作在95-98GHz的VCO,在1MHz载波偏移频率下相位噪音仅为-97dBc/Hz。输出功率为-6dBm,5V工作时的电流为很低的12mA。
SiGe工艺是一种证明成熟的有70GHz 的fT工艺,所生产的产品包括有RF晶体管,低噪音放大器和用于移动无线基站的单片微波集成电路。
通用包接口支持工作在104MHz的8位,16位和32位,采用LVTTL I/O电平或在208MHz下采用HSTL I/O电平;
用于以太网MAC或GPI接口的专用多通道DMA。
提供200MHz SysAD接口,用于宽带宽的连接;
提供33MHz局部总线接口,用于连接到引导和配置设备。
其它特性:
提供8KB集成的低等待时间的草稿用的RAM;
提供片内EJTAG调试模块,保证硬件和软件容易调试,还提供跟踪缓冲器,允许执行调试用的跟踪指令;
提供灵活的4通道DMA控制架构,给任何区块提供DMA,支持分散/聚合和外部DMA的请求;
提供矢量的按优先次序的中断控制器,支持256个优先次序的中断和可编中断递送模式,用于内部处理器以及外部和超级传输或PCI中断;

根据它的SiGe:C双极工艺,设计了几种用于高速通信的主要功能块,它的截止频率大于200GHz,所演示的振荡器门延迟时间为3.7ps。高性能电路的测试也表明,很平稳的晶体管参数能用在模拟和数字应用,有很低的噪音。
虚拟仪表信息包和数据采集系统CF2 DAQ卡,用在视窗手持设备。Data-CF2 2型紧凑闪存卡采用Window CE操作系统,能进行专业的数据采集。取样高达40kHz,板上有32KB的缓冲器,该器件能使袖珍PC具有数据采集,示波器,计数器/计时器或万用表的功能。
该单元安装了Windows CE 3.0和WinX测试面板软件.评估工具包括卡,电缆,数据采集软件和源代码。
来源:eccn.如涉版权请联系删除。图片供参考
SiGe双极工艺很适合各种高速模拟和数字方面的应用,如Gbps数据通信和宽带无线应用或微波产品。动态频率分频器的分频比例为2,最大输入频率为110GHz。该电路的工作电压为5V,消耗电流62mA。而静态分频器(分频比例为32)的最大输入频率为86GHz,工作电压为5V,消耗电流仅为180mA。
建造高频收发器的关键元件是压控振荡器(VCO)。开发和制造了工作在95-98GHz的VCO,在1MHz载波偏移频率下相位噪音仅为-97dBc/Hz。输出功率为-6dBm,5V工作时的电流为很低的12mA。
SiGe工艺是一种证明成熟的有70GHz 的fT工艺,所生产的产品包括有RF晶体管,低噪音放大器和用于移动无线基站的单片微波集成电路。
通用包接口支持工作在104MHz的8位,16位和32位,采用LVTTL I/O电平或在208MHz下采用HSTL I/O电平;
用于以太网MAC或GPI接口的专用多通道DMA。
提供200MHz SysAD接口,用于宽带宽的连接;
提供33MHz局部总线接口,用于连接到引导和配置设备。
其它特性:
提供8KB集成的低等待时间的草稿用的RAM;
提供片内EJTAG调试模块,保证硬件和软件容易调试,还提供跟踪缓冲器,允许执行调试用的跟踪指令;
提供灵活的4通道DMA控制架构,给任何区块提供DMA,支持分散/聚合和外部DMA的请求;
提供矢量的按优先次序的中断控制器,支持256个优先次序的中断和可编中断递送模式,用于内部处理器以及外部和超级传输或PCI中断;

根据它的SiGe:C双极工艺,设计了几种用于高速通信的主要功能块,它的截止频率大于200GHz,所演示的振荡器门延迟时间为3.7ps。高性能电路的测试也表明,很平稳的晶体管参数能用在模拟和数字应用,有很低的噪音。
虚拟仪表信息包和数据采集系统CF2 DAQ卡,用在视窗手持设备。Data-CF2 2型紧凑闪存卡采用Window CE操作系统,能进行专业的数据采集。取样高达40kHz,板上有32KB的缓冲器,该器件能使袖珍PC具有数据采集,示波器,计数器/计时器或万用表的功能。
该单元安装了Windows CE 3.0和WinX测试面板软件.评估工具包括卡,电缆,数据采集软件和源代码。
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