一种移动DiskOnChip G3 512Mb闪存盘，它采用0.13um多级单元(MLC）NAND技术，在单一NAND存储单元中能存储两位信息。由于采用先进的内置控制器和独特的闪存媒体结构，移动DiskOnChip G3有增强的性能和无可匹敌的可靠性。

其封装尺寸为85引脚的7x10x1.2mm FBGA，是业界最小的高容量非易失的存储器，能存储数据和代码，内部总线32位，支持DMA(64KB)和多突发式存取时间25ns(80MB/s)，NOR类接口，容易使用，内核工作电压3.3V,1.8V I/O，深降功耗(DPD）模式功耗仅10uA，内置的2KB XIP引导区使它能完全替代NOR闪存。其它特性包括有突发模式读速度高达80MBps。

该器件采用EDC/ECC和TrueFFS技术，以改善数据完整性。安全特性包括有16B独特的ID号和6KB OTP区域，以缩短用户和产品特别信息。

而同类竞争产品要以同样的速度实现这些功能，则至少需要两块芯片，三个或多个封装的器件。采用更少的芯片，降低电子成本，功耗和设备体积以及增加了可靠性。

通信量管理帮助控制存在于网络处理器的信息流，以便最有效地使用能用的带宽。通信量管理支持真正带宽和延迟，保证有8192个排队或更多的个别预定的通信流，为通信载体支持高增值服务级的协议是重要的。以太网MAC允许直接连接到以太网，这一世界上最受欢迎的数据通信方式。

STIL02-P5和STIL04-P5限流器设计成满足这些要求。每种产品在单一封装内都集成了两种单向开关。该器件能克服可控硅(SCR)中噪音(dV/dt)免疫性和功率消耗间的传统的折衷问题。

WARP2 IGBT在并联工作时有极好的电流分享特性，如功率MOSFET一样。和功率MOSFET不同，IGBT的导通损耗基本上保持平坦。