IMBF170R1K0M1是CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFET,采用TO-263 7L表面安装器件(SMD)封装,漏极和源极的爬电距离大约为7mm,这样安全标准很容易满足.

单独驱动器的源引脚有助于降低栅极回路寄生电感,以避免栅极激振效应.器件最适合用在反激拓扑,12V/0V栅源极电压和大多数的反激控制器兼容,具有非常低的开关损耗,完全可控制dV/dt以适宜EMI优化. 

SiC MOSFET降低了系统的复杂性,可直接从反激控制器直接驱动,有效提高了效率和降低冷却成本,具有更高的工作频率.主要用在能量产生如太阳能逆变器,工业电源如工业UPS和工业开关电源(SMPS)以及充电器等.

触发字段（master Trigger Pulse）：由主机发送，根据模式的不同，长度也不同。

同步字段（Sync frame）：由从机发送，表示从机开始采集数据。

状态字段（status Nibble）：表示从机当前的状态，当触发字段的模式为ID选择或范围选择时，还表示从机的ID或当前范围值。

数据字段（DataNibble）：表示从机采集到的数据，根据从机的设置，数据字段的数量可以是3到6个不等。其数据可包含霍尔值与温度值。

校验字段（CRC Nibble）：提供校验值，用于校验此帧是否正确。

激光雷达传感器的工作原理与雷达类似，唯一的区别是它们使用激光而不是无线电波。除了测量到道路上各种物体的距离外，激光雷达还允许创建检测到的物体的三维图像，并绘制周围环境的地图。

此外，激光雷达可以配置为在车辆周围创建完整的360°地图。这两个优势也是谷歌、丰田等自动驾驶汽车制造商选择激光雷达的主要原因。

技术复杂且价格昂贵。为了提供精确的环境三维模型，激光雷达每秒计算数十万个点，并将它们转换为动作。这意味着与摄像头和雷达相比，激光雷达需要大量的计算能力。这也使得激光雷达容易出现系统故障和软件故障。成本高是激光雷达的另一短板，它比用于自动驾驶车辆的雷达传感器要昂贵得多。