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MOSFET管的导通要控制栅极的电压超过其开启阈值电压

发布时间:2022/7/5 22:32:02 访问次数:66


Tarari®T1000 系列单芯片内容检测处理器。T1000系列产品不仅可支持完全无需 RAM 的操作模式,还可支持单存储器芯片操作模式,其吞吐量可扩展至2Gb/s,从而使设备制造商能够利用单个开发设计方案,满足多种不同性能水平的需求。

此外,T1000系列产品对板级空间的占用仅为前代产品的十分之一。

T1000系列产品是首款无需借助任何外部存储器即能以250-500Mb/s数据速度完全独立工作的正则表达式(reg-ex)处理器。如果配置为无RAM模式操作,那么T1000处理器可以共享主机CPU的系统存储器,从而进一步降低成本,减少功耗,且板级空间仅为前代产品的十分之一。用户只需添加低成本的存储器单芯片,就能支持吞吐量为1Gb/s~2Gb/s的高性能应用。而目前同类竞争解决方案则需要采用多种昂贵的外部存储器,才能实现数Gb的吞吐量。

MOSFET器件是电压控制器件,与双极性三极管不同的是,MOSFET管的导通只需要控制栅极的电压超过其开启阈值电压即可,不需要栅极电流。所以本质上,MOS管工作室栅极上无需串联任何电阻。

对于普通的双极性三极管,它是电流控制器件。它的基极串联电阻R1是为了了限制基极电流的大小,否则对于驱动信号源来说,三极管的基极对地之间就等效成一个二极管,会对前面驱动电路造成影响。

如果对于MOS管,由于它的栅极相对于漏极和源极是绝缘的,所以栅极上无需串联电阻进行限流。

MOS管电路可以看到红色圆圈中表示出它们的栅极都有串联的电阻。

自动驾驶域涉及到感知、决策和执行三个层面,随着汽车智能化水平的不断提高,驱使着自动驾驶算力的不断增加以及融合感知能力的不断增强。


这都使得传感器接口数量和带宽都高速增长,涉及到MIPI DPHY/CPHY/SERDES/车载以太网等等高速互联接口;以及内部计算接口总线、存储总线、芯片互联总线诸如PCIe Gen3/4、LPDDR4/5、XFI等等。这都为硬件工程师带来不断提升的高速信号完整性及电源完整性设计与测试的挑战。

智能座舱域及自 动驾驶域内部涉及到的各类高速总线信号完整性及电源完整性测试进行分析和总结,帮助汽车行业工程师们能够应对日益提升的汽车硬件设计域测试要求。



Tarari®T1000 系列单芯片内容检测处理器。T1000系列产品不仅可支持完全无需 RAM 的操作模式,还可支持单存储器芯片操作模式,其吞吐量可扩展至2Gb/s,从而使设备制造商能够利用单个开发设计方案,满足多种不同性能水平的需求。

此外,T1000系列产品对板级空间的占用仅为前代产品的十分之一。

T1000系列产品是首款无需借助任何外部存储器即能以250-500Mb/s数据速度完全独立工作的正则表达式(reg-ex)处理器。如果配置为无RAM模式操作,那么T1000处理器可以共享主机CPU的系统存储器,从而进一步降低成本,减少功耗,且板级空间仅为前代产品的十分之一。用户只需添加低成本的存储器单芯片,就能支持吞吐量为1Gb/s~2Gb/s的高性能应用。而目前同类竞争解决方案则需要采用多种昂贵的外部存储器,才能实现数Gb的吞吐量。

MOSFET器件是电压控制器件,与双极性三极管不同的是,MOSFET管的导通只需要控制栅极的电压超过其开启阈值电压即可,不需要栅极电流。所以本质上,MOS管工作室栅极上无需串联任何电阻。

对于普通的双极性三极管,它是电流控制器件。它的基极串联电阻R1是为了了限制基极电流的大小,否则对于驱动信号源来说,三极管的基极对地之间就等效成一个二极管,会对前面驱动电路造成影响。

如果对于MOS管,由于它的栅极相对于漏极和源极是绝缘的,所以栅极上无需串联电阻进行限流。

MOS管电路可以看到红色圆圈中表示出它们的栅极都有串联的电阻。

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这都使得传感器接口数量和带宽都高速增长,涉及到MIPI DPHY/CPHY/SERDES/车载以太网等等高速互联接口;以及内部计算接口总线、存储总线、芯片互联总线诸如PCIe Gen3/4、LPDDR4/5、XFI等等。这都为硬件工程师带来不断提升的高速信号完整性及电源完整性设计与测试的挑战。

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