这个创新架构让设计人员能够在同一存储器上管理固件和灵活存储数据，这种组合在以前是没有的。

更高的存储器集成度可以减少终端产品的物料清单(BoM)成本，缩短上市时间，增加应用价值，并实现尺寸更小的超低功耗模块，从而延长电池使用寿命。

作为一个全新的开发成果，串行页EEPROM整合意法半导体的e-STM 40nm非易失性存储器(NVM)单元专利技术与新的智能存储页架构，兼备高存容量、字节擦写灵活性和高耐擦写次数，既有利于固件管理，又能简化数据记录。

SCHRACK 力引导继电器产品组合可用于安全相关应用，其中包括安全联锁、紧急停止开关和机器人控制系统等。除了工业应用之外，FGR也可应用于各种控制系统，包括电梯门控制、铁路信号系统和医疗诊断设备等。

SCHRACK 产品系列具有多种灵活的设计选项，例如可提供多种触点配置、不同的触点电镀选项以及各种引脚布局，以实现更高的额定电压。标准和敏感线圈选项则能够提供更长的使用寿命，以及更加优化和改进的散热曲线。

显示了SCHRACK FGR产品系列，其中包括从2极的SR2M系列到7极的SRL7系列。

新产品还具有读取、擦除和写入时间短的特点，上传下载速度快可以降低制造成本，减少应用停机时间。快速上电和四路输出读操进一步加快应用唤醒速度。

这些器件非常适合实现多合一非易失性存储器，用于工业物联网模块、可穿戴设备、医疗健康、电子价签、智能表计和5G光纤模块等新系统设计。

此外，众所周知，ZCS/SSR是目前所用开关方法中造成破坏性和有害电磁干扰(EMI)的潜在来源，要实现 ZCS/SSR功能安全的合规性，需要对半导体电路进行复杂的监控。