浪涌抑制器是一种集成电路装置,用于控制电源线路中的N通道功率MOSFET,后者置于DC电源（例如12V、24V或48V)和需要抵御输入电压和负载电流浪涌的系统电子器件之间。

内部功率MOSFET浪涌抑制器,它可以采用高达72V的供电电压,但仅消耗6μA静态电流。

内部功率MOSFET提供100V漏源击穿电压(BVDSS)和9mΩ导通电阻(RDS(ON))，可以支持高达100V的输入浪涌和10A应用。

LTC4381提供四个选项，可以选择故障重启行为和固定或可调的输出钳位电压。

弯块式刹车盘刹车时,高压油液推动作动筒内的带杆活塞,使弯块压住刹车套,利用弯块与刹车套之间的摩擦力,形成刹车力矩,解除刹车时,压力消失,弹簧将弯块拉回到原来位置。

从弯块式刹车盘的工作过程中可以看出,如果机轮旋转方向与弯块张开方向一致,作用在弯块上的摩擦力,是帮助弯块张开的,它使弯块与刹车套压得更紧,困而能加大刹车力矩(此作用称为助动作用).

反之,如果机轮旋转方向与弯块张开方向相反,摩擦力就要阻碍弯块张开,使刹车力矩减小。安装弯块式刹车盘时,必须注意它的张开方向,不要装错。

2兆位的FRAM存储芯片，这是世界上批量生产的最大容量FRAM。

MB85R2001和MB5R2002非易失性存储器具有高速数据写入、低功耗并可提供大量写周期等特征。它们是汽车导航系统、多功能打印机、测量仪表及其它使用非易失性存储器来存储各种参数、记录设备操作条件并安全保存信息的高端设备的理想选择。

在如应用于仪表等设备的过程中，FRAM写机制确保即使在临时中断电源时，也可将数据高速写入FRAM，因此不致丢失有用数据。