Luc van den Hove提到了几代器件架构，从FinFET器件到插板和原子通道器件，以及新材料和ASML的High-NA曝光机的导入，这都需要很多年的时间。而ASML目前正在安装的High-NA曝光机的原型设备。

Luc van den Hove强调，为了迈向更先进制程，需要开发新的器件架构，以及推动标准单元的微缩。在FinFET已经成为从10纳米到3纳米的主流技术的基础上，从2纳米开始，由纳米片堆叠而成的GAA架构将是最有可能的概念。

系统芯片设备将使用TSV和微凸点技术进行芯片的3D堆叠，并使用不同制程芯片来完成不同的任务，使得多个3D芯片需要连接在一个硅中介层上。

DS28E30 1-Wire ECDSA安全认证器，这是一款高性价比解决方案，用于检测和保护产品，防止产品被伪造或滥用。

通过基于行业标准FIPS 186椭圆曲线数字签名算法(ECDSA)的固定功能密码工具箱、密钥和应用数据安全存储，以及单触点1-Wire接口，可以尽可能简单、轻松地集成到现有设计或新设计中。

DS28E30提供多种安全功能，可以实现有限寿命的工具、传感器和其他外设的使用管理。 其中包括单调、不可复位的递减计数器；以及可选的、受ECDSA保护的1Kb通用EEPROM，用于存储包括终端产品生命周期信息在内的应用数据。

此外，物联网的主要环境效益来自于企业解决方案。物联网消费设备旨在为消费者提供更好的价值主张，而企业的解决方案则通常是为了某种程度的效率提高。这些效率提升，一般体现在减少电力消耗或减少燃料或水源消耗上。

InnoSwitchTM3-TN系列极大地增加了电器,消费类产品和工业应用的辅助电源的效率.

小型MinSOP封装和低数量外接元件使得InnoSwitch3-TN系列产品非常适合紧凑的设计.产品满足EcoSmart™能量效率,在230VAC时无负载的功耗小于5mW.主要用在电器和工业系统的辅助电源.