MariSilicon X芯片，是一颗影像专用NPU，而非ISP。当前拥有两颗芯片的影像旗舰手机并不少见，但像OPPO的MariSilicon X加持的这种方式，带来了影像处理管道的革新。从芯片在影像处理管道的工作流程中的位置也可以得到其绝非普通ISP的印证。

MariSilicon X在设计之初就在追求实时RAW域处理的无损画质。所以它更像一个有强大计算能力和数据吞吐能力的管道。它与其他ISP芯片的最大区别，是它工作在手机镜头与SoC之间，所以MariSilicon X每秒钟都要承受超大规模的画面信息的洪流。

在同类PMIC中，实现了业界超小尺寸。与以往产品相比，可减少3个元器件，安装面积可缩减25%，有助于车载摄像头的小型化。

此外，还可以进行更宽范围的输出电压设置和时序控制设置，可满足各制造商不同CMOS图像传感器的不同要求，有助于减少开发工时。

两颗芯片之间的数据联通能力提出了更高的要求。也让MariSilicon X有能力为用户带来持续进行的影像能力,以及损耗更低的画质；这颗自研芯片可以称之为是影像能力的核心。

当ton改变电流Ic，在Vce维度看看ton引起的特性变化。

在相同Vce=800V、1000V条件下，不同电流Ic时电压尖峰Vce_peak。从各自测试结果看，ton在小电流时，对电压尖峰Vce_peak的影响比较小；当关断电流增加话，窄脉冲关断时容易出现电流突变，随之引起高电压尖峰。

ton在当Vce和电流Ic越高时对关断过程影响越大，更容易出现电流突变现象。从测试看这个例子FF1000R17IE4，最小脉冲ton最为合理时间不要小于3us。