SmartSiC™衬底将在新能源电动汽车中起到关键性作用。凭借独特的先进技术，我们致力于研发尖端的优化衬底，助力汽车和工业市场的电力电子设备开辟新前景。

碳化硅衬底系列中增加200mm SmartSiC™晶圆，进一步加强了我们产品组合的差异化，并在产品质量、可靠性、体积和能效等多方面满足客户多样化的需求。

200mm SmartSiC™晶圆是我们SmartSiC™技术开发和部署的一座重要里程碑，它巩固了Soitec在行业内的技术领先地位，并强化了我们不断创新、推出新一代晶圆技术的能力。

新型可编程硅基光量子计算芯片，实现了多种图论问题的量子算法求解，被外界认为是绕开光刻机的办法之一，而美国却眼热要求技术共享。这种新型量子芯片虽然也是采用微纳加工工艺，但是主要是在单个芯片上集成大量光量子器件，由于生产原理的不同，所以可以绕开光刻机的限制。

一旦光量子芯片成功商用，诸如7nm、5nm等制程工艺的研究将失去原有的意义，芯片制造领域也将迈进一个新的里程，我们将突破芯片制造被卡脖子的困境。

光量子芯片的研发和制作，并不依赖西方的高端光刻机，甚至在该领域，乃至未来全球的芯片市场，我们都能占据优势。

将定位器安装在压接工具上;按照插钉/插孔的压接筒号选择定位器上的选择旋钮并锁定位置,按照导线规格选择压接工具的压接挡位。

压接后的目视检查,插钉/插孔压接工作完成后,需目视检查插钉/插孔的压接位置和尺寸,从观察孔中必须看到芯线,压接筒压接模块痕迹位于中心并且受力均匀,不能出现金属撕裂的痕迹,不能出现弯曲现象。