VE-Trac Direct SiC是个集成的单面直接水冷 (SSDC)功率模块，采用6组配置，导通电阻低至1.7 mΩ。该平台采用了第二代SiC MOSFET技术，使性能、能效和质量都达到新的水平，同时与上一代IGBT共享兼容的封装尺寸。

一个集成的针翅式(pin fin)底板可直接进行液体冷却，并易于封装，从而支持最大的功率输出和更高效的散热。

VE-Trac Direct SiC主驱功率模块在测试中提供了最好的能效，使我们的驾驶循环(NEDC)里程比目前的硅方案延长了4%。产品高性能和可靠性及工程和管理团队的出色支援，使我们信服。

这两种器件采用TSSOP封装，主要针对便携式和家用电器应用。

它们具有更低的功耗，增强了在苛刻感测条件下工作的能力，并且能很方便地在转轮中心安置一个机械按钮(QT511)，使转轮无需反应无意的触摸。

两种芯片都具有用户可选择睡眠时间的特性，在空闲模式时可将功耗降低至20μA。

三个通道与感测器件相连，信号被处理成128点的绝对位置数据，通过一个SPI串行接口输出。QT411和QT511可以透过3mm厚的面板来感测，甚至在戴着手套的情况下也能感测。

L标准件号

|A=绿色/镍铝锰合金

|B=灰色/镍铬合金

ABS02苓9系列拼接管件号描述

并行拼接管施工以NSA936809 RG系列拼接管为例,NSA936809 RG系列类型拼接管属于高温并行

拼接管,适用工作温度为260℃,压接装配程序.