单粒子效应：单个离子或粒子撞击设备的特定区域，导致出现各种奇怪现象和误差。

总电离辐射剂量(TID)：在部件的整个使用寿命期间，电离辐射对部件产生的长期累积效应。TID可能会导致偏移，例如增加某些元器件的供电电流。

位移损伤(DD)：大粒子(例如中子)可以破坏硅芯片的晶体结构，造成物理损伤。

稳压原理取自变压器T5二次侧绕组的20V交流电压,经3U1、3U2桥式整流和3E1、3E2稳压后作为运算放大器3N的工作电源。反馈电压yF和给定电压Vc(RP上端到中点的电压)及3N的负反馈电压分别经输人电阻3 RP1、3R3、3“加到3N的输人端“12”。

运算放大器的输出咣经射极输出器输出,是触发器的移相控制电压。当电网电压波动时,移相电压改变晶间管导通角,达到稳压的目的。

电子管振荡器电路ⅤE为电子管,作为振荡器的放大管用。C25、C24、M(槽路线圈)、b、L6、L7组成反馈电路。田用来改变反馈电压大小,沿顺时针方向转到与的同轴时,反馈电压最大,田逆时针方向旋转180°时,反馈电压最小。

SH-2 CPU核心的50MHz SH7046系列，属于SuperH族32RISC微控制器，用于此类应用。现在，为满足更高的性能要求，SH7146系列操作速度高达80MHz，并具有广泛的片上外设功能，包括逆变器控制定时器和A/D变换器。

新型微控制器包括瑞萨科技首创的SH-2 32位CPU核心,与目前的SH7046系列相比，在处理性能方面有很大的提高,最高工作频率从50MHz提高到了80MHz,是先前系列的1.6倍。

GP100-C3A高频感应加热设备电气线路及故障分析与排除，线路组成及工作原理，可控整流器由晶间管交流调压和硅堆整流器组成。其输出电压在0~12,5kV范围内均匀可调。