3.3V输入电压支持30W平均功率负载和40W峰值功率负载
发布时间:2022/4/6 12:27:15 访问次数:931
150VN沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)“TPH9R00CQH”。该产品采用最新一代(*1)工艺“U-MOSX-H”,适用于工业设备的开关电源,包括部署在数据中心和通信基站的设备。
TPH9R00CQH的漏极-源极导通电阻比TPH1500CNH低大约42%,后者是一款采用了当前U-MOSVIII-H工艺的150V产品。新款MOSFET结构的优化改善了漏极-源极导通电阻之间的权衡(*2)和两个电荷特性(*3),实现了优异的低损耗特点。
此外,开关操作时漏极和源极之间的峰值电压也有所降低,有助于降低开关电源的电磁干扰(EMI)。
0.8V 至13V工作输入电压(VIN)范围
3.3V输入电压下支持30W的平均功率负载和40W的峰值功率负载
外部软启动(SS)和补偿引脚
可配置欠压锁定(UVLO)保护和迟滞
16.5V过压保护(OVP)
150°C过温保护(OTP)
采用QFN-15(3mmx4mm)封装
主板背面有连接显微镜镜头的FPC排线,锂电池的供电接口,一些阻容器件,一颗微控制器的32.768kHz的时钟。
一块4.3寸的显示屏,顶部有MicroSD卡槽,背部则为自带的充电锂电池区域,侧面有复位按键和电子显微镜的LED光照强度调节旋钮,屏幕正面底部是一排操作功能按键,电子显微镜本身可以支持录像和拍照。
这个电子显微镜的基本电路构造可以看做4部分:供电的电池,屏幕,显微镜镜头以及主板。电池采用的是一节18650规格的2000mAh可充电锂电池,配合4.3寸的显示屏,实际续航不咋滴,电池基本上只是应急使用,平常使用需要外接电源。
150VN沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)“TPH9R00CQH”。该产品采用最新一代(*1)工艺“U-MOSX-H”,适用于工业设备的开关电源,包括部署在数据中心和通信基站的设备。
TPH9R00CQH的漏极-源极导通电阻比TPH1500CNH低大约42%,后者是一款采用了当前U-MOSVIII-H工艺的150V产品。新款MOSFET结构的优化改善了漏极-源极导通电阻之间的权衡(*2)和两个电荷特性(*3),实现了优异的低损耗特点。
此外,开关操作时漏极和源极之间的峰值电压也有所降低,有助于降低开关电源的电磁干扰(EMI)。
0.8V 至13V工作输入电压(VIN)范围
3.3V输入电压下支持30W的平均功率负载和40W的峰值功率负载
外部软启动(SS)和补偿引脚
可配置欠压锁定(UVLO)保护和迟滞
16.5V过压保护(OVP)
150°C过温保护(OTP)
采用QFN-15(3mmx4mm)封装
主板背面有连接显微镜镜头的FPC排线,锂电池的供电接口,一些阻容器件,一颗微控制器的32.768kHz的时钟。
一块4.3寸的显示屏,顶部有MicroSD卡槽,背部则为自带的充电锂电池区域,侧面有复位按键和电子显微镜的LED光照强度调节旋钮,屏幕正面底部是一排操作功能按键,电子显微镜本身可以支持录像和拍照。
这个电子显微镜的基本电路构造可以看做4部分:供电的电池,屏幕,显微镜镜头以及主板。电池采用的是一节18650规格的2000mAh可充电锂电池,配合4.3寸的显示屏,实际续航不咋滴,电池基本上只是应急使用,平常使用需要外接电源。