氖、氩、氪、氙等惰性气体是芯片生产过程中必不可少的气体原材料，主要应用于半导体光刻制程中，与目前供应紧张的PMIC、Wi-Fi、RFIC、MCU等芯片品类的制造生产息息相关 。

资料显示，当制程线宽微缩至220nm以下时，就需要采用DUV（深紫外光刻机）进行光刻，以惰性混合气体与卤素分子混合，通过电子束能量激发产生深紫外光波长的光波。

而DUV准分子激光中所需要的惰性混合气体就包含氖气。集邦咨询表示，半导体光刻中包含氖气的工艺主要为DUV，工艺节点从180nm一直覆盖到1xnm。

信息超材料已成为6G热点研究技术，最大特点是可以同时处理电磁波和数字信息，实现通信系统架构的简化，甚至构建新的系统架构。

希望在双方前期合作取得的可喜成果基础上，高校、中国移动和产业界一起努力，加快推动6G的应用基础研究和原创技术攻关，提升我国6G创新水平和国际影响力。

光生太赫兹系统原型成果，在国际上首次获得200Gbps的传输速率。6G发展，离不开产学研用的通力合作。相信与中国移动以及所有合作伙伴一起，将攻克6G难题，构筑6G生态，取得更为丰硕的成果。 

RTX40系列显卡上采用由台积电代工的5纳米制程。在此之前，英伟达的RTX30系列主要采用的是三星的8nm制程。据悉，高通转单的关键点在于，三星代工的骁龙8Gen1的成品率为35%左右，而台积电的良率则超过70%以上。

另外，还有报道称，原本使用三星4纳米制程的高通5G旗舰芯片骁龙8Gen1Plus的部分代工订单可能也会交给台积电，同样采用4纳米工艺生产，高通希望台积电可以更早交付，以尽快取代当前的骁龙8 Gen1。