源极底置封装使RDS(on)降低30％电磁抗扰度和电阻要求

发布时间:2022/2/16 22:37:12 访问次数:242

新一代OptiMOS™ 源极底置（Source-Down，简称SD）功率MOSFET，为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。

相较于最先进的漏极底置封装，采用源极底置封装可使RDS(on)降低30％。

在标准门极布局中，电气连接的位置保持不变，方便将标准的漏极底置封装简单直接地替换成新的源极底置封装；而在中央门极布局封装中，门极引脚被移到中心位置以便于多个MOSFET并联。这两种型号都能够优化PCB布局，使得寄生效应降低，PCB损耗改进，且易于使用。

面向高端市场的骁龙7系5G移动平台一直广受欢迎。骁龙7系是公司移动平台产品路线图中较新的层级，在持续扩展该层级的过程中，我们始终致力于通过多种方式来满足OEM厂商日益增长的需求。骁龙750G将为更广泛的消费者带来一系列顶级移动特性。

与骁龙730G相比，骁龙750G集成的Qualcomm® Adreno™ 619 GPU能够提供高达10%图形渲染速度提升，并带来栩栩如生的出色画质。

玩家可以在多人游戏中尽享5G优势，或利用5G云游戏平台将他们喜爱的游戏传输到智能手机上。

产品还提供一个SPI接口，方便组件配置和数据传输。APIX3链路还可以通过四个现有的GPIOs(通用输入输出)将开关信号直接传输到接收器。

APIX3设备对APIX2及更低版本向下兼容.并且像这些设备一样，为电缆老化和温度波动提供补偿功能。

APIX3的一个新功能是将APIX3链路自动校准(链路训练)到所使用的电缆介质.这确保了非常稳定的优化传输。凭借其众多诊断功能，APIX3支持安全相关应用，并满足汽车行业对电磁抗扰度和电阻的要求。

新型APIX3芯片的典型应用是信息娱乐和娱乐系统,及车辆中的组合仪表和平视显示器。