帧长度检测和SPI配置外部端需接电阻经受住-14V到6V电压

发布时间:2022/1/19 12:35:17 访问次数:1039

65纳米线宽的Quad Data Rate (QDR) 和Double Data Rate (DDR) SRAM器件样品。

新推出的72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII和DDRII+存储器采用了赛普拉斯合作伙伴制造商 UMC 开发的工艺技术。

QDRII+和DDRII+器件具有片内终结电阻器 (ODT)，消除了外部端需接电阻的要求，因而可提高信号的完整性，降低系统成本，节约板上空间。65纳米产品采用的是锁相环路 (PLL) 而非延迟锁相环 (DLL) 技术，其可使数据有效窗口扩展35%，以帮助客户缩短开发时间、节约开发成本。

L9908配置3个独立高精度电流监视器通路和用来参考地电流测量的SPI配置的输入差分电压,和5V/3.3V输出动态范围兼容.

32位失调帧SPI从接口实现L9908和uC间通信,速率高达10MHz.SPI通信有5位CRC,1位帧计数器,帧长度检测和SPI配置的视窗看门狗等安全保证.器件满足AEC-Q100资质,完全和 ISO26262兼容, ASIL-D系统就绪.从VDD引脚的5V电压产生3.3V内部电源.

工作在单12V系统,双(24V系统)和48V电池应用,VDH马达电源范围从4.5V到75V.SPI可调整增益系数和输出失调,内置了误差校准,输入检测引脚能经受住-14V到6V电压.

对于功率模块晶圆，从长期供应安全考虑，比亚迪半导体采取自制晶圆为主，代工和外购为辅的整体策略,2018-2020年、2021年1-6月其晶圆产能利用率分别为78.61%、49.54%、32.33%和64.05%。

其他技术根本无法实现BrainChip解决方案可以提供的超低功耗自主、增量学习等特点。将这些芯片交到尽可能多的人手中是下一代人工智能成为现实的方式。

BrainChip还将向系统集成商和开发人员提供完整的PCIe设计布局文件和材料清单 (BOM)，使他们能够构建自己的电路板并利用AKD1000芯片作为独立嵌入式加速器或协处理器量产。

(素材来源：转载自网络,如涉版权请联系删除,特别感谢）

65纳米线宽的Quad Data Rate (QDR) 和Double Data Rate (DDR) SRAM器件样品。

新推出的72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII和DDRII+存储器采用了赛普拉斯合作伙伴制造商 UMC 开发的工艺技术。

L9908配置3个独立高精度电流监视器通路和用来参考地电流测量的SPI配置的输入差分电压,和5V/3.3V输出动态范围兼容.

工作在单12V系统,双(24V系统)和48V电池应用,VDH马达电源范围从4.5V到75V.SPI可调整增益系数和输出失调,内置了误差校准,输入检测引脚能经受住-14V到6V电压.

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