陶瓷电容的温度系数由三个字符组成，不同类别的陶瓷电容字符的含义有所不同，Clas I类的陶瓷电容的前两位字符表示电容的容值温漂大小，单位为ppm/℃，最后一位字母表示容值误差大小，此数据是在25~85摄氏度的条件下测到的.

在实际电路应用当中，我们除了关注陶瓷电容的容值大小、封装尺寸之外，还需要关注陶瓷电容的其他相关参数，下面就以三星公司的Class II类陶瓷电容型号CL21B104KBCNFN为例一起学习一下吧，该型号的具体参数为100nF，0805封装，X7R，额定电压50V。

产品特点

空载功耗0.1W

高功率密度，效率高达82%

超宽输入电压范围，交直流两用（同一端子输入电压）85 - 305VAC/100- 430VDC，

覆盖110VAC、220VAC、240VAC、277VAC电网电压，满足不同区域需求

宽工作温度范围：-40℃ to +85℃，满足5000m海拔要求，满足高纬度、高海拔地区极寒温度以及通风条件恶劣的环境需求

隔离耐压：4200VAC

输出短路、过流保护

满足IEC/EN/UL62368/EN60335/EN61558认证（满足过电压等级Ⅲ）

电源以避免这些问题并使用电子负载来测试瞬态响应。如果我们的控制回路带宽相对较高，我们可能会发现输出电压跟随负载电流而不受控制回路的限制。

在这种情况下,我们可以在一个小板上使用MOSFET和负载电阻器作为负载阶跃，由函数发生器控制。

负载导通时间的低占空比将最大限度地减少电阻器的耗散。将其安装在尽可能靠近电源输出的位置非常重要，以最大限度地减少接线电感。黑色小线连接到表面安装同轴电缆以测量输出电压。

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