39dBm连续波信号150毫米和200毫米SiC晶体生长技术
发布时间:2022/1/14 12:47:12 访问次数:836
ADRF5345是高度线性单刀四掷(SP4T)开关,采用硅工艺技术制造,工作频率从1.8GHz到3.8GHz,典型的插入损耗小于0.4dB,输入IP3典型为84dBm.
RF输入功率处理能力39dBm连续波信号,而对LTE信号平均功率为39dBm,峰值功率为49dBm.
ADRF5345集成了负电压发生器(NVG)和单个正电源5V(VDD)工作,作用于VDD引脚,消耗2mA电流.器件采用低压互补金属-氧化物半导体(LVCMOS)/低压晶体管-晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制.
4mmx4mm 22端RoHS兼容LGA封装,工作温度−40°C到 +105°C.主要用在5G倾斜天线,无线基础设备,军用和高可靠性应用,测试测量以及PIN二极管替代.
为了增强碳化硅的供应能力，前段时间安森美完成了对碳化硅晶锭公司GTAT的收购。
收购加强了安森美对颠覆性、高增长技术进行重大投资以推动创新和领先地位的承诺，包括对SiC生态系统的投资。安森美计划投资扩大GTAT的生产设施，支持研发工作，以推进150毫米和200毫米SiC晶体生长技术，同时还投资于更广泛的SiC供应链，包括晶圆厂产能和封装。
压铸模块的功率密度更高、杂散电感更低，尤其是碳化硅可以接受的工作温度更高，可达200℃甚至以上。同样的系统价钱，用压铸模块可以做到更大潜力和差异化。
工作温度–40°C 到 +125°C,采用48引脚TQFP封装.主要用在实验室和现场仪表,分光计,模拟输出模块,电池测试,半导体测试,任意波形发生器(AWG),MRI,X射线系统,专业音频放大器(机架型).
与此同时，压铸模块的生命周期也比凝胶模块较长。
(素材来源：转载自网络,如涉版权请联系删除,特别感谢）
ADRF5345是高度线性单刀四掷(SP4T)开关,采用硅工艺技术制造,工作频率从1.8GHz到3.8GHz,典型的插入损耗小于0.4dB,输入IP3典型为84dBm.
RF输入功率处理能力39dBm连续波信号,而对LTE信号平均功率为39dBm,峰值功率为49dBm.
ADRF5345集成了负电压发生器(NVG)和单个正电源5V(VDD)工作,作用于VDD引脚,消耗2mA电流.器件采用低压互补金属-氧化物半导体(LVCMOS)/低压晶体管-晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制.
4mmx4mm 22端RoHS兼容LGA封装,工作温度−40°C到 +105°C.主要用在5G倾斜天线,无线基础设备,军用和高可靠性应用,测试测量以及PIN二极管替代.
为了增强碳化硅的供应能力，前段时间安森美完成了对碳化硅晶锭公司GTAT的收购。
收购加强了安森美对颠覆性、高增长技术进行重大投资以推动创新和领先地位的承诺，包括对SiC生态系统的投资。安森美计划投资扩大GTAT的生产设施，支持研发工作，以推进150毫米和200毫米SiC晶体生长技术，同时还投资于更广泛的SiC供应链，包括晶圆厂产能和封装。
压铸模块的功率密度更高、杂散电感更低，尤其是碳化硅可以接受的工作温度更高，可达200℃甚至以上。同样的系统价钱，用压铸模块可以做到更大潜力和差异化。
工作温度–40°C 到 +125°C,采用48引脚TQFP封装.主要用在实验室和现场仪表,分光计,模拟输出模块,电池测试,半导体测试,任意波形发生器(AWG),MRI,X射线系统,专业音频放大器(机架型).
与此同时，压铸模块的生命周期也比凝胶模块较长。
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