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Microchip全线LCD驱动单片机系列提供简便的移植路径

发布时间:2021/12/30 22:33:23 访问次数:217

新产品S-50和S-56系列,扩充其著名的工业级SD存储卡产品线。这一全新产品基于工业级3D NAND技术,将闪存芯片与功能强大的控制器和高端固件集成起来,以在稳健的外壳中提供最高的可靠性。该产品在Swissbit自己的经过IATF 16949认证的工厂中制造。

全新的S-5x系列包括价格极具竞争力的S-50 SD和S-50u micro SD存储卡以及通过3D pSLC模式将耐用性提高了十倍的高耐用性S-56和S-56u。S-5x全系列都支持-40°C至85°C的温度范围。

全新的Swissbit S-5x经过优化,可以在读写周期之间承受整个温度范围内温度动态变化。

纳瓦(nanoWatt)技术的PIC18F87J90 8位LCD直接驱动单片机(MCU)。这些64引脚和80引脚封装的新器件,扩展了Microchip LCD MCU系列的存储容量,并提供了更丰富的外设。

新器件具备64至128 KB的闪存及4 KB的RAM内存,是业界首款既备有实时时钟和日历(RTCC),又包含容性触摸传感或精确时间测量所需的充电时间测量单元(CTMU)外设的8位单片机。

PIC18F87J90与Microchip PIC18F85J90的引脚兼容,为Microchip全线LCD驱动单片机系列提供简便的移植路径,同时把应用升级化繁为简。

BD71631QWZ仅需改变外置电阻即可在2.0V~4.7V的充电电压范围内轻松设置,因此不仅支持单节锂离子电池的充电,还支持需要低电压充电的全固态和半固态等新型二次电池的充电,应用范围更广。

BD71631QWZ是采用ROHM自有封装技术的1.8mm×2.4mm×0.4mm薄小型封装。与普通产品(3.0mm×3.0mm×1.0mm)相比,安装面积减少了约50%,同时,厚度减少了约60%。

通过使其厚度与周边部件的厚度相同,有助于设备的小型化和薄型化。尤其适用于搭载片状超薄二次电池的可穿戴设备和小而薄的物联网设备。


(素材来源:eccn和21ic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

新产品S-50和S-56系列,扩充其著名的工业级SD存储卡产品线。这一全新产品基于工业级3D NAND技术,将闪存芯片与功能强大的控制器和高端固件集成起来,以在稳健的外壳中提供最高的可靠性。该产品在Swissbit自己的经过IATF 16949认证的工厂中制造。

全新的S-5x系列包括价格极具竞争力的S-50 SD和S-50u micro SD存储卡以及通过3D pSLC模式将耐用性提高了十倍的高耐用性S-56和S-56u。S-5x全系列都支持-40°C至85°C的温度范围。

全新的Swissbit S-5x经过优化,可以在读写周期之间承受整个温度范围内温度动态变化。

纳瓦(nanoWatt)技术的PIC18F87J90 8位LCD直接驱动单片机(MCU)。这些64引脚和80引脚封装的新器件,扩展了Microchip LCD MCU系列的存储容量,并提供了更丰富的外设。

新器件具备64至128 KB的闪存及4 KB的RAM内存,是业界首款既备有实时时钟和日历(RTCC),又包含容性触摸传感或精确时间测量所需的充电时间测量单元(CTMU)外设的8位单片机。

PIC18F87J90与Microchip PIC18F85J90的引脚兼容,为Microchip全线LCD驱动单片机系列提供简便的移植路径,同时把应用升级化繁为简。

BD71631QWZ仅需改变外置电阻即可在2.0V~4.7V的充电电压范围内轻松设置,因此不仅支持单节锂离子电池的充电,还支持需要低电压充电的全固态和半固态等新型二次电池的充电,应用范围更广。

BD71631QWZ是采用ROHM自有封装技术的1.8mm×2.4mm×0.4mm薄小型封装。与普通产品(3.0mm×3.0mm×1.0mm)相比,安装面积减少了约50%,同时,厚度减少了约60%。

通过使其厚度与周边部件的厚度相同,有助于设备的小型化和薄型化。尤其适用于搭载片状超薄二次电池的可穿戴设备和小而薄的物联网设备。


(素材来源:eccn和21ic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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