43nm技术2位/单元16Gb芯片1MHz开关频率使用小型外部组件
发布时间:2021/12/25 17:46:42 访问次数:967
在NAND闪存的“多位/单元”技术领域取得突破性进展，将使下一代器件的芯片密度更高，成本更低。
在32纳米技术时代，Toshiba已经以业界最小晶片尺寸实现了3位/单元的32 Gb芯片，体积小于目前市场常见的采用43nm技术的2位/单元16Gb芯片。这款前沿的芯片将于2009下半年开始量产。该公司还采用43nm处理工艺组装了业界首款64Gb芯片，可用于4位/单元技术。
4位/单元适用用于超多位编程技术，可实现64Gb存储容量、7.8MB/s的写入速度而不会增加芯片尺寸。
宽输入电压范围：9V 至 32V (40V 绝对最大值)
可编程充电电流高达 2A
两节锂离子/聚合物电池充电能力，8.2V 充电电压
用户可选终止：C/10 或可编程终止定时器
动态充电速率编程/软启动引脚
可编程输入电流限制
1MHz 开关频率允许使用小型外部组件
±0.5% 充电电压准确度
在矢网分析仪与微波暗室中测试天线参数性能,天线效率与远场增益。
由以上双层2X2阵列的测试图可以看出，该天线的匹配良好，带宽1.2GHz,加上微波暗室测试时自带电缆的1dB插损，10GHz处的增益为10.7dB。
一旦充电终止，LT3650-8.2 就自动进入可将输入电源电流降至 85uA 的低电流备用模式。在停机时，输入偏置电流降至 15uA。
(素材来源：eccn和21ic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
在NAND闪存的“多位/单元”技术领域取得突破性进展，将使下一代器件的芯片密度更高，成本更低。
在32纳米技术时代，Toshiba已经以业界最小晶片尺寸实现了3位/单元的32 Gb芯片，体积小于目前市场常见的采用43nm技术的2位/单元16Gb芯片。这款前沿的芯片将于2009下半年开始量产。该公司还采用43nm处理工艺组装了业界首款64Gb芯片，可用于4位/单元技术。
4位/单元适用用于超多位编程技术，可实现64Gb存储容量、7.8MB/s的写入速度而不会增加芯片尺寸。
宽输入电压范围：9V 至 32V (40V 绝对最大值)
可编程充电电流高达 2A
两节锂离子/聚合物电池充电能力，8.2V 充电电压
用户可选终止：C/10 或可编程终止定时器
动态充电速率编程/软启动引脚
可编程输入电流限制
1MHz 开关频率允许使用小型外部组件
±0.5% 充电电压准确度
在矢网分析仪与微波暗室中测试天线参数性能,天线效率与远场增益。
由以上双层2X2阵列的测试图可以看出，该天线的匹配良好，带宽1.2GHz,加上微波暗室测试时自带电缆的1dB插损，10GHz处的增益为10.7dB。
一旦充电终止，LT3650-8.2 就自动进入可将输入电源电流降至 85uA 的低电流备用模式。在停机时，输入偏置电流降至 15uA。
(素材来源：eccn和21ic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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